[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板。

背景技术

作为液晶显示器的显示方式，以往扭曲向列(Twisted Nematic，TN)方式一直被广泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。

作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关(In Plane Switching，IPS)方式和边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)方式。该横向电场方式在阵列基板上形成像素电极和共享电极，对该像素电极和该共享电极之间施加电压，使之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。

然而，现有技术的IPS或FFS型液晶显示器的阵列基板中，公共电极是通过钝化层中的通孔与公共电极线连接的。在蚀刻该通孔的制程中，该通孔的大小难以控制，可能会使该像素电极与该公共电极的距离较近，而在某一地方发生短路，造成显示画面中存在颜色异常。

发明内容

为此，提供一种能精准控制钝化层通孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电极发生短路的液晶显示器的阵列基板及其制造方法实为必要。

根据本发明的一个方面，提供一种液晶显示器的阵列基板，包括：多条公共电极线、多条栅极线、栅极绝缘层、像素电极、透明掩模环、钝化层以及公共电极。其中，该公共电极线及该栅极线位于基板上，该栅极绝缘层覆盖该多条公共电极线及多条栅极线。该像素电极和透明掩模环位于该栅极绝缘层上，该像素电极的一端与薄膜晶体管连接，该透明掩模环邻近该像素电极的另一端并与公共电极线部分重叠。该钝化层位于栅极绝缘层上，包括一通孔。该公共电极位于该钝化层上，覆盖通孔的内表面并与公共电极线连接。

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：先在基板表面上形成第一导电层，并利用光蚀刻制程形成多个栅极和多条公共电极线。接着，形成一层栅极绝缘层，覆盖该基板和该栅极、该公共电极线。然后，形成第一透明导电层于该栅极绝缘层之上，并利用光蚀刻制程形成多个像素电极和透明掩模环，该透明掩模环与该像素电极相互隔离。接着，形成一层钝化层覆盖整个该基板，并利用光蚀刻制程形成通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层并暴露出部分公共电极线，且该通孔落于该透明掩模环内。最后，形成一层第二透明导电层覆盖该钝化层和该通孔，并利用光蚀刻制程形成公共电极，通过该通孔与该公共电极线电连接。

相较于现有技术，根据本发明提供的阵列基板及其制造方法，由于阵列基板上包括一透明掩模环，该透明掩模环可以作为掩模来蚀刻钝化层的通孔，能精准控制钝化层通孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电极发生短路，提高液晶显示器的质量。

附图说明

图1为本发明提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。

图2为图1中所示的液晶显示器阵列基板沿线Ⅱ-Ⅱ的剖示图。

图3-图6为根据本发明提供的制造液晶显示器阵列基板的方法的示意图。

主要元件符号说明

阵列基板 100、300

栅极线 GL

数据线 DL

基板 10、30

栅极 11、31

公共电极线 12、32

栅极绝缘层 13、33

像素电极 14、34

透明掩模环 14a、34a

通道层 15、35

源极 16a、36a

漏极 16b、36b

TFT17、37

钝化层 18、38

通孔 18a、38a

公共电极 19、39

狭缝 19a、39a

开口 19b、39b

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

将参照附图表述根据本发明的实施例用于液晶显示器的阵列基板。

图1是本发明实施例的液晶显示器阵列基板100的俯视图。图2是本发明的实施例液晶显示器分别沿着图1中线Ⅱ-Ⅱ的剖示图。本实施方式中液晶显示器可以是IPS型液晶显示器，或者是FFS型液晶显示器。如图1所示，该阵列基板100包括：多条栅极线GL、多条数据线DL、多条公共电极线12、薄膜晶体管(TFT)17、像素电极14和公共电极19。