[发明专利]一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法

权利要求书

1.一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其步骤如下：

(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理一定时间后，取出基底材料并用去离子水清洗，烘干；

(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应一定时间后取出，不经清洗直接烘干；

(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列。

2.根据权利要求1所述的高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的基底材料为普通玻璃、石英玻璃、钢化玻璃、光学玻璃、导电玻璃其中的一种；碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液，浓度为1.0～15.0mol/L，优选浓度为4mol/L，加热温度为45～100℃，优选温度为60℃，热碱处理时间为6～24h。

3.根据权利要求1所述的高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的钙盐溶液为钙盐化合物的水溶液，所述的钙盐化合物为氢氧化钙、氯化钙、硝酸钙、氟化钙及乙酸钙中的一种，浓度为0.2～6.0mol/L，优选浓度为1.0mol/L，反应温度为30～90℃，优选温度为60℃，反应时间为1～12h。

4.根据权利要求1所述的高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的磷酸盐溶液为碱金属或氨的磷酸盐类化合物的水溶液，浓度范围为0.005～0.1mol/L，优选浓度为0.02mol/L，所述的pH值利用氢氧化钠、氢氧化钾、氨水及尿素中的一种调节，pH值范围为8～12，优选pH值为10，所述的反应温度范围30～95℃，优选温度为90℃，保温时间1～24h。

5.根据权利要求1至4所述的制备方法，其特征是所述的玻璃基体表面的纳米羟基磷灰石为短棒状、针状、片状阵列，垂直于基体表面，沿c轴方向择优排列。