[发明专利]基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极有效
| 申请号： | 201310169460.2 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103280466A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 侯国付;赵静;索松;魏长春;张晓丹;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 alo sub ag zno 结构 反射 高绒度背 电极 | ||
1.一种基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极，其特征在于：由衬底、AlOx薄膜、Ag薄膜和介质层ZnO薄膜组成并形成叠层结构，所述AlOx薄膜具有对长波光陷光作用显著的大绒面结构，AlOx中x为0＜x＜1.5，其表面颗粒尺寸为100-2000nm、表面均方根粗糙度为50-200nm；所述金属Ag薄膜具有对太阳光具有宽谱域高反射特性，其表面颗粒尺寸为10-200nm、表面均方根粗糙度为10-60nm；所述ZnO薄膜的厚度为100-2000nm。
2.根据权利要求1所述基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极，其特征在于：所述衬底为不锈钢、聚酰亚胺或PET柔性衬底，也可为玻璃钢性衬底。
3.根据权利要求1所述基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极，其特征在于：所述介质层ZnO薄膜为不掺杂的ZnO和掺杂氧化锌ZnO:B、ZnO:Al、ZnO:Ga中的一种。
4.一种如权利要求1所述基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极的制备方法，其特征在于步骤如下：将清洗处理后的衬底放入沉积系统中，依次沉积AlOx薄膜、Ag薄膜和介质层ZnO薄膜，制得基于AlOx/Ag/ZnO结构的复合背电极，沉积方法为直流溅射、射频溅射、脉冲激光沉积、离子束溅射、电子束蒸发、有机化学气相沉积和超声喷雾方法中的一种或多种的组合，其中AlOx薄膜的制备时向反应腔室内通入氩气和氧气，Ag薄膜和介质层ZnO薄膜的制备向反应腔室内仅通入氩气。
5.一种如权利要求1所述基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极的应用，其特征在于：用于制备NIP型a-SiGe:H单结硅基薄膜太阳电池，包括非晶硅薄膜太阳电池、非晶硅锗薄膜太阳电池、微晶硅薄膜太阳电池、微晶硅锗薄膜太阳电池或纳米硅薄膜太阳电池，也可为上述由上述单结硅基薄膜太阳电池组合成的多结叠层太阳电池。
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