[发明专利]PMOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极周围形成单层牺牲侧墙，所述牺牲侧墙底部的衬底被氧化形成氧化物；

以所述牺牲侧墙为掩膜刻蚀牺牲侧墙两侧的衬底，形成第一凹槽，所述第一凹槽表面暴露在空气中形成氧化物；

湿法腐蚀去除所述第一凹槽表面的氧化物，之后，刻蚀第一凹槽形成第二凹槽，所述第二凹槽的部分开口在所述牺牲侧墙的底部；

去除部分厚度牺牲侧墙至所述第二凹槽的开口边界，使所述第二凹槽的开口完全露出；

在所述第二凹槽内形成第一半导体材料；

在剩余牺牲侧墙之间的衬底上形成第二半导体材料；

去除剩余牺牲侧墙，在所述栅极周围形成侧墙，以所述侧墙为掩膜对第一半导体材料和第二半导体材料进行离子注入，形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，先去除部分厚度牺牲侧墙至所述第二凹槽的开口边界，之后，在所述第二凹槽内形成第一半导体材料；或者，

先在所述第二凹槽内形成第一半导体材料，之后，去除部分厚度牺牲侧墙至所述第二凹槽的开口边界。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，先在所述第二凹槽内形成第一半导体材料，之后，去除部分厚度牺牲侧墙至所述第二凹槽的开口边界；

在所述去除部分厚度牺牲侧墙的步骤之后，在剩余牺牲侧墙之间的衬底上形成第二半导体材料的步骤之前，还包括：

继续去除部分厚度的牺牲侧墙，使第二凹槽的开口边界与所述牺牲侧墙剩余部分之间具有预定距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预定距离为小于等于10nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除部分厚度牺牲侧墙的方法为干法刻蚀或湿法腐蚀。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为氮化硅。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当去除部分厚度牺牲侧墙的方法为干法刻蚀时，所述干法刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体是CH₃F和CF₄的混合气体，其中，CH₃F的流量为10sccm～100sccm，CF₄的流量为50sccm～1000sccm，刻蚀功率为50W～1000W。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当去除部分厚度牺牲侧墙的方法为湿法腐蚀时，湿法腐蚀剂为质量百分比为70%～85%的磷酸溶液，温度为120℃～180℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比为50～100：1。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料与所述衬底顶部相平。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽为矩形凹槽或碗状凹槽，所述第二凹槽为sigma形凹槽。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料为锗硅，所述第二半导体材料为硅。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第二凹槽内形成第一半导体材料的方法为外延生长，在剩余牺牲侧墙之间的衬底上形成第二半导体材料的方法为外延生长。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料层为氮化硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极为前栅工艺中的栅极；或者，为后栅工艺中的伪栅极。