[发明专利]一种改进的GF结构触摸屏及其FPC连接方法

说明书

技术领域

本发明涉及到触摸屏的技术领域，尤其涉及到一种改进的GF结构触摸屏及其FPC连接方法。

背景技术

触摸屏作为一种智能化的人机交互界面产品，目前在社会生产和生活中的很多领域得到了越来越广泛地应用，尤其在消费电子产品领域(如智能手机、平板电脑等领域)中发展最为迅速。

触摸屏技术种类繁多，主要包括电阻式、电容式、红外式、表声波式等。电容式触摸屏不仅具有反应灵敏，支持多点触控的优点，而且寿命长，随着相关控制IC技术的成熟和成本的降低，电容式触摸屏已成为目前市场上的主流技术。

目前主流的电容式触摸屏一般为GG结构，如图1所示，感应器(sensor)12制作在玻璃基板11表面，FPC 14(带触控IC 15)通过热压与电极引脚连接形成玻璃sensor 1，最后将玻璃sensor 1与玻璃盖板13进行贴合形成触摸屏面板2。GG结构触摸屏的优点是触摸感应灵敏度高，产品性能稳定，可靠性高；但是，这种结构厚度比较厚，成本较高，不利于产品的轻薄化设计和低成本化制作。

如果将图1中的玻璃基板11用薄膜基板(如PET薄膜)替代，即将sensor图案电极层12制作在PET薄膜的表面，这样就构成了一种新型的电容式触摸屏——GF结构触摸屏。由于PET薄膜很薄(～0.2mm)，而且成本较低，因此这种结构可以使得触摸屏的整体厚度减小，成本得以降低，实现产品轻薄化和低成本化。但是，现有的GF结构触摸屏存在一个很大的问题，就是FPC的热压良率不高；原因是由于PET薄膜的热膨胀系数较高，在高温下容易变形，并且与FPC的热膨胀系数存在差异，而一般FPC热压温度要求在300℃左右；因此在FPC热压的时候容易出现对位偏移、接触不良等问题，极大地影响了FPC的热压良率。

发明内容

本发明的目的就是解决现有的GF结构触摸屏FPC热压良率不高的问题，提出一种改进的GF结构触摸屏及其FPC连接方法。

本发明采用的技术方案是：

一种改进的GF结构触摸屏，其特征在于：触摸屏呈叠层结构，从上往下依次为玻璃盖板、第一感测电极层、PET薄膜层和第二感测电极层，所述的第一感测电极层设置在玻璃盖板的下表面，第二感测电极层设置在PET薄膜层，PET薄膜层上设置有通孔，第二感测电极层通过通孔连接到第一感测电极层上的对应电极单元，FPC通过热压连接在第一感测电极层的电极引出引脚；PET薄膜层与玻璃盖板通过光学透明胶贴合到一起。

所述的一种改进的GF结构触摸屏，其特征在于：所述的光学透明胶采用OCA胶。

所述的一种改进的GF结构触摸屏，其特征在于：所述的FPC带有触控IC。

一种改进的GF结构触摸屏的FPC连接方法，其特征在于，具体包括有以下步骤：

(1)在PET薄膜层上制作第二感测电极层并且图形化

在室温下，利用真空磁控溅射的方法在PET薄膜层上制作ITO薄膜，然后在150℃温度下真空退火，退火时间为1个小时，最后形成第二感测电极层，方块电阻在200～300Ω/sqr之间；通过激光刻蚀方法形成需要的ITO图案电极；

(2)在玻璃盖板上制作第一感测电极层并且图形化

在玻璃盖板上丝印油墨遮光层，高温真空溅射ITO透明导电层，溅射温度设定在200～300℃，ITO薄膜方块电阻在50～150Ω/sqr之间；ITO电极层通过涂胶、曝光、显影、蚀刻、去膜等工序实现图形化；

具体工艺参数如下：

镀膜真空度：0.01～0.5Pa，温度：220～300℃，ITO薄膜层的厚度10nm～20nm；

涂布光刻胶，将蚀刻的ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1600～2000nm，均匀性5％以内，预烘温度：80～90℃；

对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：100～120lm，ITO电极图案的光罩是铬版，距离基板的尺寸100um～200um；

对光刻胶显影并硬化，采用NaOH，浓度0.1～0.08MOL/L，温度：20～35℃，时间50秒～120秒，硬化温度：100～120℃，时间30～35分钟；

蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCl 60％～65％+HO₂40％～35％，温度：40～45℃，时间：120～220秒；

去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：NaOH，浓度2.0～1.5MOL/L，温度：30～35℃，时间100秒～120秒，最后用纯水漂洗；