[发明专利]碳纳米管传感器及其制造方法无效
申请号: | 201310169628.X | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103592344A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 韩德俊;陈文飞 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳纳米管传感器,其特征在于,该传感器包括:
基底;以及
位于所述基底上的至少一个传感单元,其中各个传感单元包括:
敏感区,所述敏感区由混合探针物质的碳纳米管构成;以及
与所述敏感区的两端部连接的第一电极和第二电极;其中
所述第一电极和所述第二电极被形成为与所述碳纳米管之间形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极由金属材料制备,与所述碳纳米管之间的欧姆接触是通过瞬时脉冲放电的形式在各电极与所述碳纳米管的接触处施以局部焦耳热而形成。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极由金属材料制备,与所述碳纳米管之间的欧姆接触是通过利用超声波微幅振动的焊头对各电极与所述碳纳米管接触处施压而形成。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述敏感区为直线形状或连续的、迂回的曲线形状,并且所述敏感区的线宽为40微米至10毫米。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述敏感区中的碳纳米管当中的大部分通过磁场被形成为沿平行于所述敏感区的特定方向排列。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述敏感区由喷墨打印机打印在所述基底上或者通过光刻工艺形成在所述基底上。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述基底为滤纸、打印纸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、布面料、印刷电路板、陶瓷、覆盖二氧化硅膜的硅片或玻璃。
8.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述探针物质为抗体或抗原。
9.根据权利要求1所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述至少一个传感单元为多个传感单元,所述多个传感单元平行排列组成阵列。
10.根据权利要求9所述的碳纳米管传感器,其特征在于:所述多个传感单元全部使用相同探针物质,或分别使用不同的探针物质。
11.一种碳纳米管传感器的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
在基底上形成至少一个敏感区,所述敏感区由混合探针物质的碳纳米管构成;
在各个敏感区的两端部形成第一电极和第二电极;
使所述第一电极和第二电极与相应的敏感区上的碳纳米管之间形成欧姆接触。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,使所述第一电极和第二电极与相应的敏感区上的碳纳米管之间形成欧姆接触的步骤包括:
通过瞬时脉冲放电的形式在各电极与所述碳纳米管的接触处施以局部焦耳热而形成所述欧姆接触,或
通过利用超声波微幅振动的焊头对各电极与所述碳纳米管接触处施压而形成所述欧姆接触。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,
所述敏感区被形成为直线形状或连续的、迂回的曲线形状,并且所述敏感区的线宽为40微米至10毫米。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
利用磁场驱动使所述敏感区中的大部分碳纳米管沿特定方向取向排列。
15.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在基底上形成至少一个敏感区的步骤包括:
利用喷墨打印技术或光刻工艺将所述至少一个敏感区形成在所述基底上。
16.一种碳纳米管传感器,其特征在于,该传感器包括:
基底;以及
位于所述基底上的至少一个传感单元,其中各个传感单元包括:
敏感区,所述敏感区由混合有探针物质的碳纳米管构成;以及
与所述敏感区的两端部连接的第一电极和第二电极;其中
所述敏感区通过喷墨打印或光刻工艺被形成为细长的直线形状或连续的、迂回的曲线形状。
17.根据权利要求16所述的碳纳米管传感器,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极被形成为与所述碳纳米管之间形成欧姆接触。
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