[发明专利]ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法

权利要求书

1.一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于包括以下步骤：

1）首先用丙酮、乙醇-超声波对InP衬底进行标准清洗；

2）之后将InP衬底在HF水溶液中浸泡1～2分钟；

3）接着在沸腾的(NH₄)₂S水溶液（～60℃）中浸泡5～30分钟，然后用去离子水冲洗；

4）用氮气吹干InP衬底并移入快速热退火炉中，对InP衬底进行快速热退火；

5）原子层沉积反应室，在原位对InP衬底沉积AlN薄膜。

2. 根据专利要求1所述的ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于，步骤2)中HF水溶液的重量比为HF:H₂O=1:19。

3.根据专利要求1所述的ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于，步骤4)的过程为：在N2气条件下进行的，快速升温10秒，达到目标温度（300℃～450℃），进行退火10～30秒，然后再迅速降至室温。

4.根据专利要求1所述的ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于，步骤5)中沉积AlN薄膜的反应源分别是三甲基铝和氨气，反应温度为350℃，薄膜厚度通过原子层反应循环的周期次数调节。

5.根据专利要求1或4所述，其特征在于，步骤5)中沉积AlN薄膜单个反应周期依次为:在氮气的携带下，1-5秒的三甲基铝气通入反应腔；60秒的氮气吹洗；氮气的携带下1-15秒的氨气通入；60秒的氮气吹洗。