[发明专利]自洁净结构及其制造方法

权利要求书

1.一种自洁净结构，其特征在于，包括基材（1），基材（1）上形成有图形化的结构层（2），图形化的结构层（2）上包覆一层疏水涂层（3）。

2.根据权利要求1所述的一种自洁净结构，其特征在于，图形化的结构层（2）为形成于基材（1）表面上的凸起矩阵，该等凸起为三棱柱、四棱柱、多棱柱、圆柱、椭圆柱、半球或圆台。

3.根据权利要求2所述的一种自洁净结构，其特征在于，所述凸起的高度大于等于500nm。

4.根据权利要求1所述的一种自洁净结构，其特征在于，疏水涂层（3）的厚度小于等于100nm。

5.根据权利要求1所述的一种自洁净结构，其特征在于，基材（1）为玻璃基材、陶瓷基材、金属基材、塑料基材、釉面基材或搪瓷基材。

6.根据权利要求1所述的一种自洁净结构，其特征在于，所述基材（1）的表面为曲面。

7.权利要求1至6中任一项所述的自洁净结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将液态的光刻胶材料涂敷到基材（1）面，并在其表面上均匀分布；

(2)采用光刻或压印工艺，对基材（1）上的光刻胶进行图形化加工，形成光刻胶图形结构；

(3)以光刻胶图形结构为掩膜，对基材（1）进行图形化加工，在基板（1）表面形成凸起矩阵，该等凸起矩形构成图形化结构层（2）；

(4)去除基材（1）表面的光刻胶图形化结构层；

(5)采用浸涂、离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将疏水涂层材料均匀涂敷到基材（1）表面的图形化结构层（2）上，完成基材表面的自洁净结构制作。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中采用光刻工艺，对基材（1）上的光刻胶进行图形化加工；所述光刻工艺中采用的掩膜板为柔性掩膜板。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述柔性掩膜板包括柔性基板（10），柔性基板（10）上方依次设有粘结层（20）、金属图形结构层（30）和柔性封装层（40）；柔性基板（1）的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷；粘结层（2）的材质为环氧树脂胶粘剂；金属图形结构层（3）的材质为铝或铜；柔性封装层（4）的材质为聚二甲基硅氧烷；

所述柔性掩膜板的制备方法，包括以下步骤：

(S1)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将液态的光刻胶材料涂敷到硅片基底的二氧化硅绝缘层表面上，并在二氧化硅绝缘层表面上均匀分布；

(S2)采用光刻或压印工艺，对硅片基底上的光刻胶进行图形化加工，形成光刻胶图形结构；

(S3)采用物理汽相淀积方法，在光刻胶图形结构上淀积一层金属材料，然后采用剥离法剥离光刻胶图形结构，在硅片基底的二氧化硅绝缘层表面形成金属图形结构层（30）；

(S4)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将粘结层材料均匀涂敷到金属图形结构层（30）上，在金属图形结构层（30）上形成粘结层（20）；

(S5)将柔性基板（10）覆盖到粘结层（20）上，然后通过湿法刻蚀去除二氧化硅层，从而得到带有金属图形结构层（30）的柔性基板（10）。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述柔性掩膜板包括柔性基板（10），柔性基板（10）上方依次设有粘结层（20）、金属图形结构层（30）、媒介层（5）和柔性封装层（40）；柔性基板（1）的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷；粘结层（2）的材质为环氧树脂胶粘剂；金属图形结构层（3）的材质为铝或铜；柔性封装层（4）的材质为聚二甲基硅氧烷；媒介层（5）的材质为聚甲基丙烯酸甲酯；

所述柔性掩膜板的制备方法，包括以下步骤：

(S1)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将液态的光刻胶材料涂敷到硅片基底的二氧化硅绝缘层表面上，并在二氧化硅绝缘层表面上均匀分布；

(S2)采用光刻或压印工艺，对硅片基底上的光刻胶进行图形化加工，形成光刻胶图形结构；

(S3)采用物理汽相淀积方法，在光刻胶图形结构上淀积一层金属材料，然后采用剥离法剥离光刻胶图形结构，在硅片基底的二氧化硅表面形成金属图形结构层（30）；

(S4)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将媒介层材料均匀涂敷到硅片基底上的金属图形结构层（30）表面，形成包覆金属结构的媒介层（50）；

(S5)采用离心铺胶、喷胶或丝网印刷方法将粘结层材料均匀涂敷到柔性基板（10）上，在柔性基板（10）上形成粘结层（20）；

(S6)通过湿法刻蚀去除硅片基底上的二氧化硅绝缘层，从而得到包覆金属图形结构层（30）的媒介层（5）；

(S7)将媒介层（50）转移到带有粘结层（20）的柔性基板（10）上，使金属图形结构层（30）粘结在粘结层（20）上；

(S8)最后，在媒介层（50）上覆盖柔性封装层（40），完成柔性掩膜板的制作。