[发明专利]一种OGS触摸屏的制作方法

权利要求书

1.一种OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在玻璃盖板表面制作遮光层薄膜；

利用真空磁控溅射的方法制作遮光层薄膜，遮光层薄膜采用黑色金属薄膜，通过控制溅射条件获得致密的黑色金属薄膜；

（2）对遮光层薄膜通过光刻技术实现图形化；

通过涂胶、曝光、显影、蚀刻和去膜等工艺形成图形化的遮光层薄膜，即遮光层薄膜边框；

（3）制作透明绝缘层；

利用真空磁控溅射的方法制作透明绝缘层，控制溅射条件保证透明绝缘层的绝缘性；

（4）制作透明导电层并且图形化；

利用真空磁控溅射的方法制作透明导电层薄膜，然后通过涂胶、曝光、显影、坚膜、蚀刻和去膜工艺对透明导电层薄膜进行图形化，具体工艺参数：

镀膜真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~300℃，透明导电层的厚度10nm~20nm；

涂布光刻胶，将蚀刻的透明导电层覆盖，光刻胶的厚度1600~2000nm，均匀性5%以内，预烘温度：80~90℃；

对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：100~120mj，透明导电层的电极图案的光罩是铬版，距离基板的尺寸100um~200um；

对光刻胶显影并硬化，采用NaOH，浓度0.1~0.08MOL/L，温度：20~35℃，时间50秒~120秒，硬化温度：100~120℃，时间30~35分钟；

蚀刻透明导电层，形成透明导电层电极图形，蚀刻使用材料：HCL60%~65%+HO2 40%~35%，温度：40~45℃，时间：120~220秒；

去除光刻胶，形成透明导电图案功能电极，使用材料：NaOH，浓度2.0~1.5MOL/L，温度：30~35℃，时间100秒~120秒，最后用纯水漂洗；

（5）将带有触控IC芯片的FPC通过热压与所述电极引脚进行电学连接，形成最终的OGS触摸屏。

2.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于：所述的玻璃盖板采用钢化玻璃。

3.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于：所述的黑色金属薄膜采用Cr膜或Ti膜。

4.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于：所述的透明绝缘层为SiO2薄膜。

5.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于：所述透明导电层的材料为ITO材料。