[发明专利]像素结构、TFT阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构、包含该像素结构的TFT阵列基板，以及包含该TFT阵列基板的液晶显示面板和液晶显示装置。

背景技术

液晶显示面板和液晶显示装置是目前主流显示面板之一。其显示模式主要有TN（Twisted Nematic）型、VA（Virtical Alignment）型、IPS（In Plane Switching）型、FFS（Fringe Field Switching）型等。其中，IPS/FFS型液晶显示面板由于具有优越的广视角等特性，得到广泛的应用。

现有的FFS型液晶显示面板通常包括相对设置的彩膜基板和TFT阵列基板，以及设置于二者之间的液晶层。图1为现有技术的一种FFS型TFT阵列基板的俯视结构示意图。从图1中可以看出，现有技术的FFS型TFT阵列基板包括基板100以及位于基板100上的像素阵列。像素阵列包括多条扫描线101；与扫描线101绝缘交叉的多条数据线102；位于扫描线101和数据线102交叉处的TFT103；设置于相邻扫描线101与相邻数据线102围城的像素区域内的像素结构。该像素结构的具体结构可以参考图1和图2a，图2a为图1中A-A’的剖视图。结合图1和图2a可以看出，该像素结构包括多个条形像素电极104、片状公共电极105以及设置于像素电极104和公共电极105之间使二者绝缘的绝缘层106；像素电极104和公共电极105之间产生平行于基板100的电场。当然，也可以是像素电极104为片状并位于绝缘层106下侧，公共电极105为条形位于绝缘层106上侧；也可以是像素电极104和公共电极105均为条形，并且交错排列（如图2b所示）。

现有技术的FFS型像素内部横向电场Ex较弱，要达到同样的显示效果，功耗较高、刷新率较低。中国专利（申请号为CN201120313955.4）公开了一种通过更改像素高度等方法以增强横向电场的技术，但其工艺制作难度较大，成本较高。

发明内容

本发明的实施例所要解决的一个技术问题是，现有技术的IPS/FFS型像素内部横向电场Ex较弱，功耗较高、刷新率较低。

为了解决上述技术问题的至少一个，本发明的实施例提供了一种像素结构，形成于一基板上，所述像素结构包括：相互绝缘且位于不同层的第一电极和第二电极；与所述第一电极具有相同电位，且位于不同层的第三电极；所述第一电极、所述第三电极分别与所述第二电极形成平行于所述基板的电场。

作为第一个优选实施方式，所述像素结构还包括第一绝缘层；所述第一电极为片状，位于所述绝缘层下侧；所述第二电极为条形，位于所述第一绝缘层上侧；所述第三电极为条形，位于所述第一绝缘层上侧。

优选的，所述第二电极有多个，所述第三电极有多个，二者交错排列。

优选的，所述第三电极与所述第二电极位于同一层。

优选的，所述第三电极与所述第二电极位于不同层，二者之间设置有第二绝缘层。其中，所述第三电极位于所述第二绝缘层上，所述第二电极位于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间；或者所述第二电极位于所述第二绝缘层上，所述第三电极位于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间。

作为第二个优选的实施方式，所述像素结构还包括第一绝缘层；所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极均为条形；所述第一电极位于所述第一绝缘层的一侧，所述第二电极和所述第三电极均位于所述第一绝缘层的另一侧。

优选的，所述第一电极、第二电极和第三电极均有多个；所述第一电极和第三电极正对设置；所述第一电极和第二电极交错排列。

优选的，所述第二电极与所述第三电极位于同一层。其中，所述第二电极和第三电极位于所述第一绝缘层上侧，所述第一电极位于所述第一绝缘层下侧；或者所述第二电极和第三电极位于所述第一绝缘层下侧，所述第一电极位于所述第一绝缘层上侧。

优选的，所述第三电极与所述第二电极位于不同层，二者之间设置有第二绝缘层。

优选的，所述第三电极位于所述第二绝缘层上，所述第二电极位于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间，所述第一电极位于所述第一绝缘层下；

或者，所述第二电极位于所述第二绝缘层上，所述第三电极位于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间，所述第一电极位于第一绝缘层下。

作为第三个优选的实施方式，所述像素结构还包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极均为条形；所述第一电极位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述第二电极、第三电极分别位于所述第一绝缘层、第二绝缘层外侧。