[发明专利]多晶硅的铸锭工艺

权利要求书

1.一种多晶硅的铸锭工艺，其特征在于，包括：

步骤S1：将硅料放置在铸锭炉内，将所述铸锭炉的炉温提升至第一温度，将所述铸锭炉的炉腔压力提升至第一压力；

步骤S2：将所述铸锭炉的炉温由所述第一温度升高至第二温度，当所述硅料开始熔化时，将所述炉腔压力由所述第一压力降至第二压力，直至所述硅料全部熔为液态硅；

步骤S3：对所述液态硅进行后处理。

2.根据权利要求1所述的铸锭工艺，其特征在于，所述第二压力与所述第一压力的比值区间为

3.根据权利要求2所述的铸锭工艺，其特征在于，所述第一压力为400～600毫巴。

4.根据权利要求1所述的铸锭工艺，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：将所述硅料放置在所述铸锭炉内后，将所述铸锭炉的炉温由常温升至700～800摄氏度，并向所述铸锭炉内通入氩气，使所述铸锭炉的炉腔压力保持在100～200毫巴之间；

步骤S12：将所述铸锭炉的炉温升至800～1100摄氏度，继续向所述铸锭炉内通入氩气，使所述铸锭炉的炉腔压力保持在200～400毫巴之间；

步骤S13：将所述铸锭炉的炉温升至所述第一温度，所述第一温度为1100～1400摄氏度，继续向所述铸锭炉内通入氩气，使所述铸锭炉的炉腔压力保持在所述第一压力，所述第一压力为400～600毫巴。

5.根据权利要求4所述的铸锭工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，将所述铸锭炉的炉温升高至所述第二温度，所述第二温度大于或等于1400摄氏度。

6.根据权利要求4所述的铸锭工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，将所述铸锭炉的炉腔压力保持在所述第二压力，所述第二压力为200～300毫巴。

7.根据权利要求1所述的铸锭工艺，其特征在于，所述后处理包括步骤S31：

降低所述铸锭炉的炉温，并打开所述铸锭炉的保温层，使所述铸锭炉的底部温度低于所述铸锭炉的顶部温度，以使所述液态硅再结晶形成多晶硅锭。

8.根据权利要求7所述的铸锭工艺，其特征在于，所述后处理还包括在所述步骤S31之后的步骤S32：降低所述铸锭炉的炉温，并关闭所述铸锭炉的所述保温层，使所述铸锭炉的底部温度升高，以消除所述多晶硅锭的内应力。

9.根据权利要求8所述的铸锭工艺，其特征在于，所述后处理还包括在所述步骤S32之后的步骤S33：降低所述铸锭炉的炉温，以对所述多晶硅锭进行冷却，而后将所述多晶硅锭从所述铸锭炉内取出。