[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

在所述基板上的包括沟槽的层间绝缘膜；

栅绝缘膜，在所述沟槽中；

功函数调整膜，在所述沟槽中且在所述栅绝缘膜上并且具有沿着所述沟槽的第一侧壁延伸的第一部分、沿着所述沟槽的第二侧壁延伸的第二部分和沿着所述沟槽的底表面延伸的第三部分，所述功函数调整膜的所述第一部分具有倾斜顶表面，该倾斜顶表面相对于所述沟槽的所述第一侧壁形成锐角；以及

金属栅图案，在所述沟槽中且在所述功函数调整膜上，填充所述沟槽，

其中所述功函数调整膜是第一功函数调整膜，所述倾斜顶表面是第一倾斜顶表面，所述锐角是第一锐角，所述半导体器件还包括在所述第一功函数调整膜上的第二功函数调整膜，其中所述第二功函数调整膜的顶表面在所述第一倾斜顶表面之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述功函数调整膜的所述第一部分还具有平行于所述沟槽的第一侧壁延伸的第一侧壁和平行于所述沟槽的第一侧壁延伸的第二侧壁，所述倾斜顶表面从所述第一侧壁的顶端延伸到所述第二侧壁的顶端。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二功函数调整膜的所述顶表面是第二倾斜顶表面，该第二倾斜顶表面相对于所述沟槽的所述第一侧壁形成第二锐角，所述第一倾斜顶表面和所述第二倾斜顶表面形成连续的表面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中沿着所述第一功函数调整膜的所述第一倾斜顶表面从所述层间绝缘膜的上表面到中点的第一深度与沿着所述第二功函数调整膜的所述第二倾斜顶表面从所述层间绝缘膜的所述上表面到中点的第二深度不同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一深度小于所述第二深度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述功函数调整膜的上部分的宽度随着与所述沟槽的所述底表面相距的距离增加而减小。

7.一种半导体器件，包括：

基板；

层间绝缘膜，在所述基板上且包括彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；

NMOS晶体管，包括形成在所述第一沟槽中的第一金属栅；以及

PMOS晶体管，包括形成在所述第二沟槽中的第二金属栅，其中所述第一金属栅包括沿着所述第一沟槽的第一侧壁、第二侧壁和底表面形成的第一N型功函数调整膜，

所述第二金属栅包括在所述第二沟槽中并沿着所述第二沟槽的第一侧壁、第二侧壁和底表面顺序地层叠的P型功函数调整膜和第二N型功函数调整膜，

所述第二N型功函数调整膜包括第一倾斜顶表面，该第一倾斜顶表面相对于所述第二沟槽的所述第一侧壁形成锐角，以及

所述第二N型功函数调整膜的所述第一倾斜顶表面低于所述P型功函数调整膜的顶表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述P型功函数调整膜的顶表面为第二倾斜顶表面，该第二倾斜顶表面相对于所述第二沟槽的所述第一侧壁形成锐角。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一倾斜顶表面和所述第二倾斜顶表面是彼此连续的。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一N型功函数调整膜包括第三倾斜顶表面，该第三倾斜顶表面相对于所述第一沟槽的所述第二侧壁形成锐角。

11.一种半导体器件，包括：

在基板上的包括沟槽的层间绝缘膜；

栅绝缘膜，形成在所述沟槽中；

第一TiN膜，在所述沟槽中且在所述栅绝缘膜的上表面上；

TaN膜，在所述沟槽中且在所述第一TiN膜的上表面上；

第二TiN膜，在所述沟槽中且在所述TaN膜的上表面上；以及

TiAl膜，在所述沟槽中且在所述第二TiN膜的上表面上，

其中所述TiAl膜具有倾斜顶表面，该倾斜顶表面相对于所述沟槽的侧壁形成锐角，并且所述TiAl膜的所述倾斜顶表面低于所述第二TiN膜的顶表面。