[发明专利]MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干栅极结构，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的掺杂区，位于所述半导体衬底表面且覆盖所述栅极结构侧壁的第一介质层；

形成覆盖所述栅极结构顶表面的金属盖帽层,所述金属盖帽层的材料为钴、镍、铂、硅、钨、钯、银和金中的一种或几种；

形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第二介质层的顶表面与所述金属盖帽层的顶表面齐平；

对所述金属盖帽层进行离子注入，所述注入离子为氟离子、氯离子和溴离子中的一种或几种；

刻蚀所述金属盖帽层，形成暴露出所述栅极结构顶表面的开口；

在所述开口内形成绝缘盖帽层。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，对所述金属盖帽层进行离子注入适于提高所述金属盖帽层的刻蚀速率。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，形成所述金属盖帽层的工艺为选择性沉积工艺。

4.如权利要求3所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述选择性沉积工艺为无电极电镀或者化学气相沉积。

5.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属盖帽层采用湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液为氨水、双氧水和水的混合溶液，所述刻蚀溶液的温度为60摄氏度～80摄氏度。

7.如权利要求5所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括质量百分比为10％～40％的双氧水、质量百分比为0.1％～15％的有机酸盐、质量百分比为0.1％～0.5％的氨、和水，所述刻蚀溶液的温度为30摄氏度～60摄氏度。

8.如权利要求7所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述有机酸盐为羧酸盐或者柠檬酸盐。

9.如权利要求5所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括质量百分比为2％～20％的硝酸、质量百分比为2％～20％的羧酸、和水，所述刻蚀溶液的温度为10摄氏度～60摄氏度。

10.如权利要求9所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述羧酸为柠檬酸、酒石酸、苹果酸、草酸和草酸铵中的一种或几种。

11.如权利要求5所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液为双氧水、硝酸铁、丙二酸和水的混合溶液，所述刻蚀溶液的温度为10摄氏度～100摄氏度。

12.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属盖帽层采用干法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述绝缘盖帽层的材料为氮化硅或者氮氧化硅。

14.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，还包括：在形成绝缘盖帽层后，形成覆盖所述绝缘盖帽层和第二介质层的第三介质层；刻蚀所述第三介质层、第二介质层和第一介质层，形成暴露出所述掺杂区的通孔；在所述通孔内形成接触体。

15.如权利要求14所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的材料为氧化硅。

16.如权利要求14所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，还包括，在所述通孔内形成接触体之前，在所述通孔的底部形成硅化物层。

17.如权利要求1所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极、和位于所述栅介质层和所述栅电极侧壁表面的侧墙。

18.如权利要求17所述的MOS晶体管形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅或者高介电常数材料，所述栅电极的材料为多晶硅或者金属。