[发明专利]GaN基光耦合器

权利要求书

1.一种光耦合器，包括：

设置在衬底上的GaN基光传感器；

设置在与所述GaN基光传感器相同的衬底上的GaN基光源；和

插入在GaN基光传感器和GaN基光源之间的透明材料，该透明材料在GaN基光传感器和GaN基光源之间提供电流隔离并且形成光通道。

2.根据权利要求1的光耦合器，其中所述GaN基光传感器是包括p型GaN层、n型GaN层、和插入在p型GaN层和n型GaN层之间的本征GaN层的光电二极管。

3.根据权利要求1的光耦合器，其中GaN基光源附着于覆盖GaN基光传感器的背对衬底的侧面的透明材料的区域。

4.根据权利要求1的光耦合器，其中GaN基光源附着于覆盖GaN基光传感器的侧壁的透明材料的区域。

5.根据权利要求1的光耦合器，其中衬底包括硅、二氧化硅、碳或金刚石。

6.根据权利要求1的光耦合器，其中透明材料包括二氧化硅或类金刚石碳。

7.根据权利要求1的光耦合器，其中透明材料在GaN基光传感器和GaN基光源之间提供高达10kV的电流隔离。

8.一种电光电路，包括：

光耦合器，其包括：

设置在衬底上的GaN基光传感器，该GaN基光传感器具有电气侧和光学侧；

设置在与所述GaN基光传感器相同的衬底上的GaN基光源，该GaN基光源具有电气侧和光学侧；和

插入在GaN基光传感器和GaN基光源之间的透明电流隔离材料，该透明电流隔离材料在GaN基光传感器和GaN基光源的光学侧之间形成光通道；以及

电连接到GaN基光传感器的电气侧的电器件。

9.根据权利要求8的电光电路，其中电器件被设置在与所述GaN基光传感器和GaN基光源相同的衬底上，并且电器件是GaN基电器件。

10.根据权利要求9的电光电路，其中GaN基光传感器是具有阳极和阴极的GaN基光电二极管，其中GaN基电器件是具有栅极、源极、漏极和沟道的GaN基晶体管，该沟道被设置在源极和漏极之间并且由栅极控制，并且其中GaN基光电二极管的阴极电连接到GaN基晶体管的栅极。

11.根据权利要求10的电光电路，进一步包括将GaN基光电二极管与GaN基晶体管的源极、漏极和沟道分离的电绝缘体。

12.根据权利要求8的电光电路，其中电器件设置在与GaN基光传感器和GaN基光源不同的衬底上。

13.根据权利要求12的电光电路，其中电器件基于不同于GaN的半导体工艺。

14.根据权利要求8的电光电路，其中GaN基光源附着于覆盖GaN基光传感器的背对衬底的侧面的透明电流隔离材料的区域。

15.根据权利要求8的电光电路，其中GaN基光源附着于覆盖GaN基光传感器的侧壁的透明电流隔离材料的区域。

16.根据权利要求8的电光电路，其中透明电流隔离材料在GaN基光传感器和GaN基光源之间提供高达10kV的电流隔离。

17.一种封装，包括：

导电引线框，

光耦合器，其包括：

设置在附着于引线框的衬底上的GaN基光传感器，该GaN基光传感器具有电气侧和光学侧；

设置在与GaN基光传感器相同的衬底上的GaN基光源，该GaN基光源具有电气侧和光学侧；和

插入在GaN基光传感器和GaN基光源之间的透明电流隔离材料，透明电流隔离材料在GaN基光传感器和GaN基光源的光学侧之间形成光通道；以及

电连接到GaN基光传感器的电气侧的电器件。

18.根据权利要求17的封装，其中电器件被设置在与GaN基光传感器和GaN基光源不同的衬底上并且附着于不同于光耦合器的导电引线框。

19.根据权利要求18的封装，其中电器件基于不同于GaN的半导体工艺。

20.根据权利要求17的封装，其中电器件被设置在与GaN基光传感器和GaN基光源相同的衬底上，并且其中电器件是GaN基电器件。