[发明专利]半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造工序中的半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带。进一步详细而言，本发明涉及在使用了支撑部件的半导体元件的制造工序中的半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带。

背景技术

对形成有布线图案的半导体晶片的背面进行薄片化加工时，为了保护半导体晶片的图案面以及对半导体晶片本身进行固定，一般在图案面上贴附保护片之后，对背面实施研磨、研削等薄片化加工。作为这样的保护片，一般使用在由塑料膜构成的基材上涂布丙烯酸系粘合剂等而成的片材。但是，近年来由于IC卡和移动电话的薄型化、小型化，半导体芯片的厚度也要求为50μm以下的级别，在使用以往的保护带的工序中，仅利用保护带无法支撑半导体晶片，由于研削后的半导体晶片的翘曲、以及收纳在晶片盒中时产生的挠曲等而难以进行半导体晶片的处理、难以进行操作和搬运的自动化。

针对该问题，提出了通过接合剂将玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等贴合在半导体晶片上，从而向半导体晶片赋予支撑性的方法(参照专利文献1)。通过使用玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等支撑部件来代替保护片，半导体晶片的操作性大幅提高，并能够进行搬运的自动化。

在使用了支撑部件的半导体晶片的操作中，在半导体晶片的背面研削后，需要将支撑部件从半导体晶片上剥离的工序。支撑部件的剥离一般是通过如下方法进行的：(1)利用化学药品将支撑部件和半导体晶片之间的接合剂溶解或分解；(2)对支撑部件和半导体晶片之间的接合剂照射激光从而进行光分解；等等。但在(1)的方法中，为了使化学药品在接合剂中扩散需要长时间的处理；另外，在(2)的方法中，激光的扫描需要长时间的处理，并且无论是哪一种方法都存在需要准备特殊的基板作为支撑部件这样的问题。

因此，提出了在支撑部件的剥离时，在形成了剥离的开口之后，进行物理性/机械性的剥离的方法(参照专利文献2、3)。该方法不需要以往的利用化学药品将接合剂溶解或分解、和利用激光扫描进行光分解时所需要的长时间的处理，在短时间内便可以进行处理。将支撑部件从半导体晶片上剥离之后，利用化学药品对在支撑部件的剥离时所产生的半导体晶片上的接合剂的残渣进行清洗。

之后，将从支撑部件剥离下来的半导体晶片移送至切割工序中，将其切断为一个一个的芯片，但如上所述，若半导体芯片的厚度为50μm以下，则在半导体晶片独自的情况下，由于研削后的半导体晶片的翘曲和收纳在晶片盒时产生的挠曲等而使半导体晶片的处理变得非常困难，因此通常情况是对半导体晶片的背面进行研削不久之后抢在支撑部件的剥离之前，在半导体晶片的研削面上贴合切割带，使其支撑固定在环形框上。因此，利用化学药品对在支撑部件的剥离时所产生的半导体晶片上的接合剂残渣进行清洗是在将半导体晶片贴合在切割带上的状态下进行的，因此切割带存在要求具有高耐溶剂性这样的问题。

为了解决这样的问题，提出了在粘合剂层中含有能量射线固化型丙烯酸树脂组合物、且使凝胶分数为70%以上的方案(参照专利文献4)，但该半导体加工用胶带对材料有着极其严格的限定，因此有时难以体现出切割带本来所要求的特性、即仅在切割时能够抑制芯片飞散的粘合力、和拾取时的易剥离性。

另外，提出了一种电路元件形成方法，其中，通过接合剂将支撑部件贴附在形成有电路的晶片电路面上之后，对晶片背面进行研削，接着在薄板化后的基板的背面上形成贯通电极，之后进行切割，将其小片化为一个一个的元件，将切割带贴合在这些经小片化而得到的元件的贯通电极侧，对所述切割带进行紫外线照射，接着使供给至形成在支撑板的厚度方向上的大量的贯通穴的溶剂与支撑板和基板之间的所述接合剂接触从而使该接合剂溶解，然后将支撑板从基板剥离开(参照专利文献5)。

但是，上述方法的工序较为繁杂，需要进行切割带的贴换等，除此之外，为了使化学药品在接合剂中扩散也需要长时间的处理，并未解决所述专利文献1中的问题，进一步，经紫外线照射会导致切割带相对半导体晶片的粘合力下降，因此如专利文献2、专利文献3那样，在经由将支撑部件从半导体晶片上机械性剥离的工序的情况下，有时会产生下述问题：剥离产生在半导体晶片-粘合带之间，而并非产生在支撑部件-半导体晶片之间，无法除去支撑部件。另外，即使假设可以除去支撑部件，也存在切割时粘合力不足而引起芯片飞散这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-135272号公报

专利文献2：日本特表2011-510518号公报

专利文献3：美国专利申请公开第2011/0272092号说明书