[发明专利]一种半导体雷击保护装置

权利要求书

1.一种半导体雷击保护装置，其特征在于，包括一保护器模块，所述的保护器模块包括第一端片、第二端片、PN结合型半导体晶粒、第一引线、第二引线、涂覆层和封胶体，所述的第一端片和第二端片相对设置，所述的PN接合型半导体晶粒设置在第一端片和第二端片之间，且分别与第一端片和第二端片以焊锡密接相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一端片、第二端片和PN结合型半导体晶粒的外部，而所述的封胶体则包覆在涂覆层的外部，且所述的第一引线的一端与第一端片导电相连接，另一端穿过涂覆层和封胶体露在外部，同样，所述的第二引线的一端与第二端片导电相连接，另一端穿过涂覆层和封胶体露在外部。

2.根据权利要求1所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的PN结合型半导体晶粒至少为两个，且相邻的PN接合型半导体晶粒之间还电性相固接有导电铜片。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的第一端片和第二端片均为铜片。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的涂覆层为凡立水层。

5.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的封胶体的材质为一次性固体粉末型环氧树脂。

6.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的第一引线和第二引线均为实心铜线。

7.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的PN接合型半导体晶粒符合国际规范雷击防护测试中Type-1的规格，能够承受10/1000us的雷击冲击波。

8.根据权利要求7所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的PN接合型半导体晶粒的N型半导体区的离子掺杂浓度为每立方公分5E20个离子且掺杂深度为40微米，而P型半导体区的离子掺杂浓度为每立方公分1.6E17个离子。

9.根据权利要求1或2所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的PN接合型半导体晶粒符合国际规范雷击防护测试中Type-2的规格，能够承受8/20us的雷击冲击波。

10.根据权利要求9所述的一种半导体雷击保护装置，其特征在于，所述的PN接合型半导体晶粒的N型半导体区的离子掺杂浓度为每立方公分2E20个离子且掺杂深度为70微米，而P型半导体区的离子掺杂浓度为每立方公分3.66E17个离子。