[发明专利]一种过流保护方法及其过流保护集成电路芯片封装有效
申请号: | 201310172270.6 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103219695A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 景为平;文继伟;景一欧 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H01L27/02 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 吴静安 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 方法 及其 集成电路 芯片 封装 | ||
1.一种过流保护方法,其特征在于包括采用两磁敏原件;该两磁敏原件分别置于受保护电子器件中通过不同电流的导体一侧;两磁敏原件分别将感应到的具有差值的电信号输入一差分放大电路的输入端;该差分放大电路输出的信号作为过载保护驱动电路的输入信号。
2.根据权利要求1所述的一种过流保护集成电路芯片封装,其特征在于所述差分放大电路的差模电压增益为50~120dB,共模抑制比80~140dB。
3.一种过流保护集成电路芯片封装,包括设有焊盘的封装基板和邦定线,其特征在于还包括受保护电子器件和第一、第二两磁敏原件,所述受保护电子器件置于封装基板上,该受保护电子器件中的引脚由邦定线引至对应的焊盘,所述第一磁敏原件固定于与所述受保护电子器件引脚连接的焊盘一侧,或所述引脚一侧;第二磁敏原件置于封装基板上感应电流小于第一磁敏原件的其它任意位置上。
4.根据权利要求3所述的一种过流保护集成电路芯片封装,其特征在于所述第二磁敏原件置于封装基板上感应电流小于第一磁敏原件的其它焊盘或引脚的一侧。
5.根据权利要求3或4所述的一种过流保护集成电路芯片封装,其特征在于所述磁敏原件由两层高压电材料之间粘结一层高磁致伸缩材料形成,并由导线从一相邻层之间引出,形成信号输出端。
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