[发明专利]控制装置、存储装置以及存储控制方法无效
申请号: | 201310173039.9 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103425589A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 麻生伸吾 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 装置 存储 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及控制装置、存储装置以及非易失性存储器的存储控制方法,更具体地,涉及在请求写入的数据末端不匹配非易失性存储器中执行写入操作的最小单位的物理区域之间边界的情况下所执行的处理。
背景技术
使用非易失性存储器(诸如NAND型闪速存储器)的存储装置变得越来越广泛地使用。非易失性存储器用在存储卡、固态驱动器(SSD)、嵌入式多媒体卡(eMMC)等中,用于例如各种类型的电子装置、信息处理装置。
日本未审查专利申请公开第2009-70098号、第2007-334852号、第2007-193838号以及第2007-58840号公开了使用闪速存储器的存储装置。
物理地址被用作非易失性存储器中物理存储区域中的地址。通过使用该物理地址,来设置物理块、物理页以及物理扇区。多个物理扇区组成物理页,而多个物理页组成物理块。
以每物理块的方式执行擦除操作(擦除),而可以每物理页的方式执行写入操作(编程)以及读出操作(读出)。
主机装置使用逻辑地址来指定地址。具有逻辑地址的逻辑块和逻辑页与上述的物理地址相关。因此,在请求存取实际的闪速存储器的情况下,逻辑地址转换成物理地址,并通过该物理地址来存取实际的闪速存储器。
这里,通过主机装置请求写入至存储装置的数据,不具有每次都匹配非易失性存储器的物理页(该物理页是执行写入操作的最小单位)之间边界的末端。
在请求写入的数据末端不匹配物理页之间边界的情况下,该数据的末尾部分是具有大小小于物理页的数据(以下,如此数据被称为小于页面大小的数据)。因为执行写入操作的最小单位是上述的物理页,所以,在继小于页面大小的数据的地址之后的逻辑地址所指定的数据(即,继小于页面大小的数据之后的数据),是稍后请求要被写入的情况下,如何写入所请求要写入的数据的头部(该头部的大小也小于物理页的大小)是一个问题。
在现有方法中,被设计成:不管请求写入的数据末端是否匹配物理页之间的边界,请求写入的数据的整体写入到经受处理的物理块中。之后,在写入数据的末端不匹配物理页之间的边界并且写入数据之后的数据被请求写入的情况下,因为存在执行写入操作的最小单位是物理页的规则,所以,已写入的小于页面大小的数据与所请求要写入的小于页面大小的数据(其为请求要写入的数据的头部)相结合。然后,将具有物理页大小的结合后数据新写入另一物理页中。
发明内容
在上述现有方法中,在请求写入数据末端不匹配物理页之间边界的情况下,将数据的末端部分、小于页面大小的数据写入到经受处理的物理块中。之后,在与小于页面大小的数据成对的数据(即,由与小于页面大小的数据相同的逻辑地址所指定的数据)被请求写入的情况下,通过该数据与小于页面大小的数据结合所获得的数据,被写入另一物理页中,结合后的数据具有物理页的大小。
然而,在如此的现有方法中,如上所述,因为通过组合小于页面大小的数据片所获得的数据被新写入另一物理页中,组合后的数据具有物理页的大小,所以发生了很多次碎片收集。
因为发生了很多次碎片收集,所以,存在的问题在于处理速度降低以及执行碎片收集的装置的寿命缩短。
鉴于上述的情况而做出本技术。在写入具有不匹配物理区域(执行写入操作的最小单位)之间边界的末端的数据的情况下,期望减少发生碎片收集次数,并防止处理速度降低以及执行碎片收集的装置寿命的缩短。
根据本技术的实施方式,在本技术中提供了一种具有以下结构的控制装置。
即,本技术中的控制装置包括控制单元,被配置为以以下方式来执行控制:在响应于写入请求将数据写入到第一非易失性存储器中经受处理并作为执行擦除操作的单位的物理区域中的情况下;并且在请求写入的所述数据的末端与所述第一非易失性存储器中作为执行写入操作的最小单位的物理区域之间的边界不一致的情况下,大小小于所述最小单位的数据存储在预定的临时存储区域中;以及之后在请求将由与大小小于所述最小单位的所述数据相同的逻辑地址所指定的数据写入的情况下,通过将由相同逻辑地址所指定的所述数据与存储在所述预定的临时存储区域中大小小于所述最小单位的所述数据相结合所获得的数据写入至经受处理的所述物理区域中。
此外,根据本技术的执行方式,在本技术中提供了一种具有以下结构的存储装置。
即,在本技术中的该存储装置包括第一非易失性存储器。
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