[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，在第一导电型的半导体基板的一个主表面的表面层上具有矩形形状平面图案的第二导电型扩散区域和包围该第二导电型扩散区域的环状的耐压区域，所述第二导电型扩散区域具有在中央部分表面与金属电极进行欧姆接触的活性区域和包围该活性区域且在表面具备绝缘膜的环状的周边部，该周边部具有选择性地扩散的第二导电型扩散区域延伸部，以提高所述环状的周边部的内周端与外周端之间的薄层电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述环状的周边部的第二导电型扩散区域延伸部具备梯子状延伸部，该梯子状延伸部交替地并列布置有从所述内周端朝向外周端以条状向外延伸的多个第二导电型外延部和由所述半导体基板的露出面构成的多个第一导电型条状基板表面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型外延部的短边宽度对所述第一导电型条状基板表面的短边宽度之比为0.1以上且0.5以下。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，当将所述第二导电型扩散区域的扩散深度设为Xj，将所述第一导电型条状基板表面的短边宽度设为L时，L相比Xj的1.6倍更长。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，具备覆盖所述周边部的表面的绝缘膜。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，具备分离电极，该分离电极欧姆接触于所述周边部的表面，且与所述金属电极电气分离。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，多个第二导电型环状扩散区域在所述梯子状延伸部的外周侧相互分开布置，所述多个第二导电型环状扩散区域电气连接于所述第二导电型外延部，同时具有相比所述第二导电型扩散区域的扩散深度更深的扩散深度。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第二导电型环状扩散区域的最内周端与所述第二导电型扩散区域的外周端之间的间隔为所述第二导电型外延部的外周方向的长度以上。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型外延部与所述多个第二导电型环状扩散区域的最内周端相接。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在分开布置于所述梯子状延伸部的外侧的所述第二导电型环状扩散区域的表面具备与所述第二导电型外延部的表面电气连接的分离电极。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述周边部表面的所述绝缘膜的活性区域侧的内周端形状形成为非直线形状，该非直线形状对应于将所述周边部作为路径的反向恢复电流的在所述内周端的平面分布，在电流多的部分朝活性区域侧的突出距离长，在电流少的部分朝活性区域侧的突出距离短。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述环状的周边部的第二导电型扩散区域延伸部具备多个第一之第二导电型格子线部和多个第二之第二导电型格子线部，多个第一之第二导电型格子线部与从形成为矩形的所述半导体装置的中心朝向所述半导体装置的外周端的方向构成大于0°且小于90°的角度θ，多个第二之第二导电型格子线部与从所述中心朝向所述半导体装置的外周端的方向构成角度-θ，所述第一之第二导电型格子线部和所述第二之第二导电型格子线部以角度2θ形成交差。

13.根据权利要求1或11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型扩散区域为阳极扩散区域，在所述第一导电型半导体基板的另一主表面的表面层具有浓度高于所述第一导电型半导体基板的第一导电型阴极扩散区域，由此所述半导体装置具有垂直式二极管的功能。

14.根据权利要求1或11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型扩散区域为选择性地形成于所述第一导电型半导体基板的一个主表面的表面层的第二导电型基极区域，该基极层的表面选择性地形成有第一导电型源极区域，并隔着栅极绝缘膜分别面对所述第一导电型半导体基板、所述基极区域以及所述源极区域的表面而形成有栅极电极，所述第一导电型半导体基板的另一个主表面的表面层具有浓度高于所述第一导电型半导体基板的第一导电型漏极层，由此所述半导体装置具有金属氧化物半导体场效应晶体管的功能。

15.根据权利要求1或11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型扩散区域为选择性地形成于所述第一导电型半导体基板的一个主表面的表面层的第二导电型基极区域，该基极区域的表面选择性地形成有第一导电型发射极区域，并隔着栅极绝缘膜分别面对所述第一导电型半导体基板、所述基极区域以及所述发射极区域的表面而形成有栅极电极，所述第一导电型半导体基板的另一个主表面的表面层具有浓度高于所述第一导电型半导体基板的第二导电型集电极层，由此所述半导体装置具有绝缘栅双极型晶体管的功能。