[发明专利]介电组合物及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件

权利要求书

1.一种介电组合物，该介电组合物含有：

介电粒子，该介电粒子具有以ABO₃表示的钙钛矿结构，

其中，所述介电粒子含有基材和过渡元素TR，所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中，并且所述过渡元素与所述稀土元素的比率为0.2-0.8。

2.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，以所述基材为基准，以氧化物计的所述稀土元素RE的含量为0.1-1.2原子%。

3.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，以所述基材为基准，以氧化物计的所述过渡元素TR的含量为0.02-0.8原子%。

4.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，A包括选自由钡、锶、铅和钙组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，B包括选自由钛和锆组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述稀土元素为选自由钪、钇、镧、锕、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥组成的组中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述介电粒子包括选自由Ba_mTiO₃、(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃组成的组中的至少一种；

在Ba_mTiO₃和(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃中，0.995≤m≤1.010，0≤x≤0.10，0<y≤0.20；

在Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃中，0.995≤m≤1.010，x≤0.10。

8.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：

陶瓷主体，该陶瓷主体包括介电层，所述介电层的平均厚度为0.65μm以下；和

内部电极，该内部电极布置在所述陶瓷主体中彼此相对，所述介电层位于内部电极之间，

其中所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物含有介电粒子，该介电粒子具有以ABO₃表示的钙钛矿结构，所述介电粒子含有基材和过渡元素TR，所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中，所述过渡元素与所述稀土元素的比率为0.2-0.8。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，以所述基材为基准，以氧化物计的所述稀土元素RE的含量为0.1-1.2原子%。

10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，以所述基材为基准，以氧化物计的所述过渡元素TR的含量为0.02-0.8原子%。

11.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，A包括选自由钡、锶、铅和钙组成的组中的至少一种。

12.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，B包括选自由钛和锆组成的组中的至少一种。

13.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述稀土元素为选自由钪、钇、镧、锕、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥组成的组中的至少一种。