[发明专利]一种高精度振荡器及频率产生方法有效
申请号: | 201310173468.6 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103312267A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 欧新华 | 申请(专利权)人: | 上海芯导电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 振荡器 频率 产生 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,具体地说更涉及一种高精度振荡器及频率产生方法。
背景技术
振荡器,简单地说就是一个频率源,一般用在锁相环中。详细说就是一个不需要外信号激励、自身就可以将直流电能转化为交流电能的装置,一般分为正反馈和负阻型两种。所谓“振荡”,其涵义就暗指交流,振荡器包含了一个从不振荡到振荡的过程和功能,能够完成从直流电到交流电的转化。其种类很多,按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器;按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等;按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。
为使振荡器提供高精度的频率,现有技术通常采用ROSC(Relaxation Oscillator,弛张振荡器),如图1所示,利用多级(通常为奇数级)振荡器叠加产生频率源已达到更高的精度,但该种实现方式中,ROSC因为内部晶体管的参数受到温度和电源的影响很大,所以误差很难修正。
如图2所示,若采用恒流充放电类型的振荡器,即有两个充电和放电的电流源,两个开关(PMOS和NMOS),一个电容,两个比较器:比较器1和比较器2,一个RS触发器。对电容充到过了2/3的电源电压的时候,比较器1的输出变高,触发器输出高,NMOS开关导通,放电;放电放到过了1/3的电源电压的时候,比较器2的输出变高,触发器输出低,PMOS开关导通,充电;两段时间加上比较器等一些延时的总和就是振荡器的时钟周期。该振荡器电路,因为比较器的延时波动很大,受温度和电源影响大,频率误差很难做小,从而导致振荡器的精度不稳定或精度不高。
发明内容
本发明实施例的目的在于针对上述现有振荡器精度不高的问题,提供一种高精度振荡器及频率产生方法,以提高振荡器的精度,减少电路的温漂效应,同时简化电路结构,降低振荡器电路的成本。
为了达到上述发明目的,本发明实施例提出的一种高精度振荡器是通过以下技术方案实现的:
一种高精度振荡器,所述振荡器包括:
带隙基准电压源BANDGAP,用来提供稳定的基准电压;
跨导放大器,与所述BANDGAP相连;
低通滤波器,与所述跨导放大器相连;
压控振荡器,与所述低通滤波器和跨导放大器分别相连,当当前频率Fclk偏离目标频率值,对当前频率进行调整,直到达到目标频率值;
偏置电流源,与所述压控振荡器相连,接收所述压控振荡器输出的频率Fclk,并转化Fclk为电流I1;
低温漂电阻R1,与所述偏置电流源相连。
为了实现前述发明目的,本发明实施例还提供了一种振荡器频率产生方法,所述方法包括以下步骤:
所述振荡器由带隙基准电压源BANDGAP、跨导放大器、低通滤波器、压控振荡器、低温漂电阻R1组成,其中,所述偏置电流源电路为调整内环;所述带隙基准电压源BANDGAP、跨导放大器、低通滤波器、偏置电流源和低温漂电阻R1组成调整外环;
根据目标频率值Fclk得到目标电流值;
根据所述目标电流值,设定所述低温漂电阻R1的值;
当当前频率偏离目标频率值,所述压控振荡器对当前频率进行调整,直到达到目标频率值。
为了实现前述发明目的,本发明实施例还提供了另一种振荡器频率产生方法,所述方法包括以下步骤:
所述振荡器由带隙基准电压源BANDGAP、跨导放大器、低通滤波器、压控振荡器、低温漂电阻R1组成,其中,所述偏置电流源电路为调整内环,所述低温漂电阻内置于所述调整内环,并与所述偏置电流源串联;所述带隙基准电压源BANDGAP、跨导放大器、低通滤波器和偏置电流源组成调整外环;
根据目标频率值得到目标电流值;
根据所述目标电流值,设定所述低温漂电阻R1的值;
当当前频率Fclk偏离目标频率值,所述压控振荡器对当前频率Fclk进行调整,直到达到目标频率值。
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