[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

(1)提供一半导体基板，其为一第一导电型半导体，且具有一第一表面及一第二表面；

(2)利用一掺质材料于该半导体基板的该第一表面上形成一掺质材料层，令使在该半导体基板的该第一表面内形成一第二型半导体层，且该掺质材料在该半导体基板的该第二表面内形成一掺质溢镀层，该掺质溢镀层的该掺质材料于该半导体基板的该第二表面内形成一掺质残留层；

(3)进行一激光掺杂制程于该掺质材料层，形成多个选择性射极于该第二型半导体层中；

(4)移除该掺质材料层及该掺质溢镀层，以暴露具有该些选择性射极的该第二型半导体层及该掺质残留层；

(5)移除该掺质残留层，以暴露该半导体基板的该第二表面；

(6)形成一抗反射层于该第二型半导体层上；以及

(7)形成一电极于该抗反射层中，该电极是接触该第二型半导体层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一型半导体为一P型半导体。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在该步骤(1)还包含粗糙化该半导体基板的该第一表面。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二型半导体层为一N型半导体层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该掺质材料为三氯氧磷。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该掺质材料层为一磷玻璃层。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(4)的方法包含一湿式蚀刻法。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该湿式蚀刻法是使用氢氟酸移除该掺质材料层及该掺质溢镀层。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(5)的方法包含至少一酸蚀刻法、至少一碱蚀刻法或其组合。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(5)是先利用一酸溶液酸化该掺质残留层，接着利用一碱溶液移除酸化的该掺质残留层，再利用氢氟酸中和该碱溶液。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该酸溶液包含硫酸、硝酸、氢氟酸或其组合。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该碱溶液包含氢氧化钾、氢氧化钠或其组合。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(5)包含一表面处理步骤，利用该碱溶液令使该第二型半导体层的金字塔微结构具有光滑表面。

14.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(6)的方法包含物理气相沉积或化学气相沉积。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该抗反射层的材料包含硅氧化合物、硅氮化合物、氧化铝或碳化硅。

16.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤(7)的方法包含网印法。

17.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该电极的材料包含金属或透明导电材料。