[发明专利]一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术

权利要求书

1.一种数字式自旋阀磁场传感器，其特征在于，基片上所采用的巨磁电阻自旋阀薄膜材料结构是由多层纳米量级厚度的巨磁电阻和隧道结自旋阀材料构成，其核心结构依次为缓冲层、反铁磁层(4)、第一铁磁层(3)、非磁性层(2)、第二铁磁层(1)和保护层，所述第一铁磁层(3)呈厚度连续变化的楔形。

2.根据权利要求1所述的一种数字式自旋阀磁场传感器，其特征在于，所述基片为硅片或玻璃。

3.根据权利要求1或2所述的一种数字式自旋阀磁场传感器，其特征在于，所述核心结构加工形成数个连续排布的、其第一铁磁层(3)厚度呈连续变化的自旋阀磁场传感器单元。

4.根据权利要求3所述的一种数字式自旋阀磁场传感器，其特征在于，所述数个自旋阀磁场传感器单元对磁场的感应电阻呈单调递增或递减。

5.根据权利要求3所述的一种数字式自旋阀磁场传感器，其特征在于，所述数个自旋阀磁场传感器单元通过电极材料依次串联，再与外围电路相连。

6.制备如权利要求1～5任一项所述数字式自旋阀磁场传感器的技术，其特征在于，所述巨磁电阻和隧道结自旋阀材料通过薄膜制备技术设置于基片上。

7.根据权利要求6所述的制备技术，其特征在于，所述薄膜制备技术为磁控溅射或电子束蒸发技术。

8.根据权利要求6所述的制备技术，其特征在于，所述数个自旋阀磁场传感器单元是通过光刻技术加工形成的。