[发明专利]一种近红外光电硅材料的制备方法

权利要求书

1.一种近红外光电硅材料的制备方法，包括对晶体硅片重掺杂硫元素，其特征是：将重掺杂硫元素的晶体硅片置于退火装置中采用电场辅助退火，退火电场的电压大小为不能击穿硅片，退火温度为550℃，退火时间为6个小时。

2.根据权利要求1所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：退火电场的电压为10000V。

3.根据权利要求1所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：将重掺杂硫元素的晶体硅片置于退火装置中进行电场辅助退火时，使晶体硅片重掺杂硫元素的表面朝向电场的正极，且电场方向垂直于该晶体硅片重掺杂硫元素的表面。

4.根据权利要求3所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：所述电场为匀强电场。

5.根据权利要求1所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：对晶体硅片重掺杂硫元素时采用激光进行重硫掺杂。

6.根据权利要5所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：所述激光为飞秒或纳秒级激光。

7.根据权利要求6所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：对晶体硅片重掺杂硫元素时，将晶体硅片置于腔室中，调节腔室内压强为1×10^-3pa以下，充入含硫气体至腔室内压强为0.5±0.01Pa，调节激光强度为1.8J/cm²，采用飞秒或纳秒级激光光斑扫描晶体硅表面，待激光扫过所有的硅表面时，将装载有晶体硅片的腔室抽真空处理至真空度为1×10^-3pa以下，充入惰性气体至腔室内压强为0.5±0.01Pa，取出晶体硅片置于电场中进行辅助退火。

8.根据权利要求7所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：所述的含硫气体为SF₆；所述的惰性气体为氩气。

9.根据权利要求1-8任一项所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：所述晶体硅片为单晶硅片。

10.根据权利要求9所述的近红外光电材料的制备方法，其特征是：所述晶体硅片需进行超声清洗处理，所述超声清洗采用的溶剂为丙酮。