[发明专利]基于IEEE 1500标准兼容SRAM/ROM的MBIST控制器结构系统有效
申请号: | 201310174317.2 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103310852A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 谈恩民;金锋 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 巢雄辉 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ieee 1500 标准 兼容 sram rom mbist 控制器 结构 系统 | ||
1.基于IEEE 1500标准兼容SRAM/ROM的MBIST控制器结构系统,包括嵌入到系统芯片内部的MBIST控制器,其特征在于:设置March算法状态机和多输入线性反馈移位寄存器MISR的MBIST控制器分别连接着外设的测试系统接口、围绕被测嵌入式SRAM和ROM的基于IEEE 1500标准的测试壳Wrapper和响应分析器,基于IEEE 1500标准的测试壳Wrapper与响应分析器连接,基于IEEE 1500标准的测试壳Wrapper和响应分析器均嵌入到系统芯片内部。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:在MBIST控制器中,March算法状态机之后连接指令译码器和控制信号生成器,指令译码器后分别连接数据背景生成器、地址生成器和读写信号生成器,数据背景生成器、地址生成器和读写信号生成器均连接输出数据缓冲器,数据比较器分别连接数据背景生成器和多输入线性反馈移位寄存器MISR。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:所述测试壳Wrapper的由与被测嵌入式存储器的端口数目相同数量的WBC前后串接而成的边界寄存器WBR与串行输入/输出接口WSI/WSO、并行输入/输出接口WPI/WPO及SRAM/ROM内核连接,旁路寄存器WBY与边界寄存器WBR并联于串行输入/输出接口WSI/WSO之间,指令寄存器WIR分别连接边界寄存器WBR、旁路寄存器WBY和控制接口WIP;
测试壳Wrapper中的各组成单元符合IEEE 1500标准功能描述。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:MBIST控制器产生的对测试壳Wrapper控制的状态模式控制信号有正常模式、测试模式和旁路模式三种测试模式信号。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:MBIST控制器设置赋值为被测对象ID号的总线宽度为n位的总线SelectIP[n-1:0],总线SelectIP[n-1:0]分别与多路选择器M1、多路选择器M2和多路选择器M3连接,多路选择器M1连接测试壳Wrapper的串行输入接口WSI,多路选择器M2连接测试壳Wrapper的指令寄存器WIR,多路选择器M3连接测试壳Wrapper的串行输出接口WSO;
其中,n等于被测嵌入式存储器的数目,即n个SRAM/ROM内核;ID号是包含存储器类别、容量、字位宽和序号的具有唯一性的编号。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:外设的测试系统接口为一个Avalon总线接口,接口信号包括:clk,reset_n,chipselect,address,write,writedata,read,readdata和byteenable,以及非Avalon信号的测试完成信号finish、故障指示信号error。
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