[发明专利]单弹性梁叉指电容加速度计有效

专利信息
申请号: 201310174715.4 申请日: 2013-05-13
公开(公告)号: CN103235156A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 薛惠琼;王玮冰;田龙坤 申请(专利权)人: 江苏物联网研究发展中心
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125;B81C1/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 弹性 梁叉指 电容 加速度计
【权利要求书】:

1.一种单弹性梁叉指电容加速度计,包括基底(7)及基底(7)上的结构层,结构层包括上锚点(1-1)、下锚点(1-2)、第一叉指电容(2-1)、第二叉指电容(2-2)、第三叉指电容(2-3)、第四叉指电容(2-4)、左弹性梁(3-1)、右弹性梁(3-2)、左质量块(4-1)、右质量块(4-2)、连接梁(5)、左锚点(6-1)和右锚点(6-2);所述左质量块(4-1)的左端通过左弹性梁(3-1)连接左锚点(6-1),左质量块(4-2)的右端通过连接梁(5)连接右质量块(4-2)的左端,右质量块(4-2)的右端通过右弹性梁(3-2)连接右锚点(6-2);所述上锚点(1-1)靠近左质量块(4-1)和右质量块(4-2)的侧面上设有梳齿状排列的第一叉指电容(2-1),左质量块(4-1)和右质量块(4-2)的上侧面上设有梳齿状排列的第二叉指电容(2-2),上锚点(1-1)侧面的一个第一叉指电容(2-1)位于两个第二叉指电容(2-2)的空隙之间,且第一叉指电容(2-1)与第二叉指电容(2-2)呈等距离的交错配置;所述下锚点(1-2)靠近左质量块(4-1)和右质量块(4-2)的侧面上设有梳齿状排列的第三叉指电容(2-3),左质量块(4-1)和右质量块(4-2)的下侧面上设有梳齿状排列的第四叉指电容(2-4),下锚点(1-2)侧面的一个第三叉指电容(2-3)位于两个第四叉指电容(2-4)的空隙之间,且第三叉指电容(2-3)与第四叉指电容(2-4)呈等距离的交错配置;其特征是:所述第一叉指电容(2-1)、第二叉指电容(2-2)、第三叉指电容(2-3)、第四叉指电容(2-4)、左弹性梁(3-1)、右弹性梁(3-2)、左质量块(4-1)、右质量块(4-2)和连接梁(5)的结构为垂直沉积叠加结构,该垂直沉积叠加结构自底层向上依次为第一SiO2图层(8)、第一金属铝图层(9)、第二SiO2图层(10)、第二金属铝图层(12)、第三SiO2图层(13)、第三金属铝图层(15)和钝化层(16),第一金属铝图层(9)和第二金属铝图层(12)由设置在第二SiO2图层(10)中的第一钨塞(11)连接,第二金属铝图层(12)和第三金属铝图层(15)由设置在第三SiO2图层(13)中的第二钨塞(14)连接;在该垂直沉积叠加结构上设置多个垂直于基底(7)的侧墙(17),侧墙(17)由钝化层(16)的上表面延伸至基底(7)的上表面,在该垂直沉积叠加结构下部的基底(7)上设置悬空结构(18)。

2.如权利要求1所述的单弹性梁叉指电容加速度计,其特征是:所述上锚点(1-1)、下锚点(1-2)、左锚点(6-1)和右锚点(6-2)的中部为凹陷部(19),凹陷部(19)的四周为凸出部(20);所述凸出部(20)的结构自底层向上依次为第一SiO2图层(8)、第一金属铝图层(9)、第二SiO2图层(10)、第二金属铝图层(12)、第三SiO2图层(13)、第三金属铝图层(15)和钝化层(16),第一金属铝图层(9)和第二金属铝图层(12)由设置在第二SiO2图层(10)中的第一钨塞(11)连接,第二金属铝图层(12)和第三金属铝图层(15)由设置在第三SiO2图层(13)中的第二钨塞(14)连接;所述凹陷部(19)的结构自底层向上依次为第一SiO2图层(8)、第一金属铝图层(9)、第二SiO2图层(10)、第二金属铝图层(12)和第三SiO2图层(13),第一金属铝图层(9)和第二金属铝图层(12)由设置在第二SiO2图层(10)中的第一钨塞(11)连接。

3.如权利要求1所述的单弹性梁叉指电容加速度计,其特征是:所述悬空结构(18)在宽度方向上由基底(7)的一侧向基底(7)的另一侧延伸,且悬空结构(18)的宽度小于基底(7)的宽度;所述悬空结构(18)在高度方向上由基底(7)的上表面向基底(7)的下表面延伸,且悬空结构(18)的高度小于基底(7)的高度。

4.如权利要求1所述的单弹性梁叉指电容加速度计,其特征是:所述的基底(7)为硅基底。

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