[发明专利]混合集成部件及其制造方法

权利要求书

1.一种混合集成部件（100），其至少包括：

具有经处理的前侧的ASIC构件（10）；

具有微机械结构（21）的第一MEMS构件（20），所述微机械结构在所述第一MEMS衬底（10）的整个厚度上延伸，

其中，所述微机械结构（21）的至少一个结构元件（23）是能够偏转的，

其中，所述第一MEMS构件（20）装配在所述ASIC构件（10）的经处理的前侧上，从而在所述微机械结构（21）和所述ASIC构件（10）之间存在间隙；

第一罩晶片（30），所述第一罩晶片装配在所述第一MEMS构件（20）的微机械结构（21）上方；

其特征在于，

在所述ASIC构件（10）的背侧上装配有第二MEMS构件（40），

所述第二MEMS构件（40）的微机械结构（41）在所述第二MEMS衬底（40）的整个厚度上延伸并且包括至少一个能够偏转的结构元件，

在所述第二MEMS构件（40）的微机械结构（41）和所述ASIC构件（10）之间存在间隙，

在所述第二MEMS构件（40）的微机械结构（41）上方装配有第二罩晶片（50）。

2.根据权利要求1所述的部件（100），其特征在于，在所述ASIC构件（10）中构造有至少一个ASIC覆镀通孔（TSV）（13），所述至少一个ASIC覆镀通孔建立所述ASIC构件（10）的所述经处理的前侧和所述ASIC构件（10）的背侧上的所述第二MEMS构件（20）之间的电连接。

3.根据权利要求1或2所述的部件（100），其特征在于，在所述ASIC构件（10）的所述经处理的前侧上暴露出至少一个连接盘（140）用于所述部件（10）的外部接通。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件（200），其特征在于，至少在两个罩晶片（50）之一中构造有至少一个罩覆镀通孔（52）用于所述部件（200）的外部接通。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件（100），其中，所述两个MEMS构件（20）中的至少一个包括微机械结构（21），所述微机械结构具有至少一个振动质量（23），所述微机械结构在所述MEMS构件（20）的整个厚度上延伸，其中，在所述ASIC构件（10）上集成有用于传感器信号的信号处理与分析电路的至少一部分。

6.一种用于制造混合集成部件、尤其是用于制造根据权利要求1至5中任一项所述的部件的方法，

其中，首先处理ASIC衬底（10），

其中，在所述ASIC衬底（10）的经处理的前侧上装配第一MEMS衬底（20），

其中，在所装配的第一MEMS衬底（20）中产生微机械结构（21），所述微机械结构（21）在所述第一MEMS衬底（20）的整个厚度上延伸，

其中，在所述第一MEMS衬底（20）的微机械结构（21）上方装配第一罩晶片（30），

其特征在于，

在所述ASIC衬底（10）的背侧上装配第二MEMS构件（40），

在所装配的第二MEMS衬底（40）中产生微机械结构（41），所述微机械结构（41）在所述第二MEMS衬底（40）的整个厚度上延伸，

在所述第二MEMS衬底（40）的微机械结构（41）上方装配第二罩晶片（50），以及

随后分离所述部件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述ASIC衬底（10）的处理范畴中，在所述ASIC衬底（10）中施加至少一个ASIC覆镀通孔（13）以及在所述ASIC衬底（10）的前侧上产生具有至少一个电路层面（14）的层结构。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在装配所述第二MEMS衬底（40）之前，对所述经处理的ASIC衬底（10）进行背侧减薄。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其特征在于，在所述经处理的ASIC衬底（10）的前侧上产生第一直立型结构（171），将所述第一MEMS衬底（20）装配在所述第一直立型结构（171）上和/或在所述经处理的ASIC衬底（10）的背侧上产生第二直立型结构（172）以及在所述第二直立型结构（172）上产生所述第二MEMS衬底（40）。