[发明专利]静电电容检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及静电电容检测装置，尤其涉及静电电容检测基板的屏蔽构造具有特征的静电电容检测装置。

背景技术

作为现有技术，已知有在基板上形成静电电容检测用的电极层，并且作为EMI对策形成有屏蔽层的静电电容检测装置（例如参照专利文献1）。该静电电容检测装置是具有形成了电极图案的电极基板的触摸传感器，且在与电极基板的电极图案同一面上的外周区域形成有由透明导电膜构成的屏蔽层，在该屏蔽层的上层形成有与电极图案电连接的输出布线等。

根据该静电电容检测装置，由于在输出布线和电极基板之间形成有由透明导电膜构成的屏蔽层，所以即便手指等接触或靠近形成有多个输出布线的输出布线部亦即屏蔽区域，在该部分，手指等的静电电容和输出布线的静电电容的耦合也被屏蔽层屏蔽。因此，在手指等触摸、或靠近的部分，容量变化引起的噪声不会传递至输出布线等，尽管在传感器部没有输入，也会像有输入一样不进行检测，因而能够防止误动作的产生。另外，不产生容量变化所引起的噪声，能够容易地设定输入检测的阈值，因而能够进行准确的输入检测。

专利文献1：日本特开2009－169720号公报

但是，根据现有的静电电容检测装置，检测灵敏度因电极层和屏蔽层之间的寄生电容的增加而降低，另外，若通过缩小电极面积来进行EMI对策，则存在操作性因操作区域缩小而降低的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供不进行电极面积的缩小、屏蔽面积的扩大，就兼得检测灵敏度的维持和EMI对策的静电电容检测装置。

［1］本发明为了实现上述目的，提供如下静电电容检测装置，其特征在于，具有：以规定的厚度形成的基板；以规定的图案形成在上述基板的表面的电极层，该电极层由用于静电电容检测而触摸的电极和从上述电极引出的布线构成；以与上述电极层的上述规定的图案对应的屏蔽图案形成在上述基板的背面的屏蔽层；上述屏蔽层的上述屏蔽图案形成在从上述基板的上述厚度方向观察时不与上述电极重复的上述电极的周围、以及不与上述布线重复的上述布线的周围，并且形成在上述布线的布线间。

［2］也可以是根据上述［1］所记载的静电电容检测装置，其特征在于，形成在上述布线的布线间的屏蔽层的局部在从上述基板的上述厚度方向观察时与上述电极重复。

［3］另外，也可以是根据上述［2］所记载的静电电容检测装置，其特征在于，包括形成在上述布线的布线间的屏蔽层在内的上述屏蔽层全部以电连接的方式形成。

［4］另外，也可以是上述［1］至［3］中任意一项所记载的静电电容检测装置，其特征在于，上述屏蔽层由网状结构形成。

根据本发明，能够提供不进行电极面积的缩小、屏蔽面积的扩大，就兼得检测灵敏度的维持和EMI对策的静电电容检测装置。

附图说明

图1是本发明的实施方式的静电电容检测装置的立体图。

图2是从图1所示的A方向观察本发明的实施方式的静电电容检测装置的基膜的表面的俯视图。

图3是本发明的实施方式，且是从图1所示的A方向透视观察静电电容检测装置的基膜的背面的俯视图。通过图示为这样的透视俯视图，能够容易地把握图1所示的基膜的表面的电极层和基膜的背面的屏蔽层的从基膜的厚度方向观察时的重复关系。

图4A是比较例1，且是从图1所示的A方向透视观察静电电容检测装置的基膜的背面的俯视图。通过图示为这样的透视俯视图，能够容易地把握图1所示的基膜的表面的电极层和基膜的背面的屏蔽层的从基膜的厚度方向观察时的重复关系。

图4B是比较例2，且是从图1所示的A方向透视观察了静电电容检测装置的基膜的背面的俯视图。通过图示为这样的透视俯视图，能够容易地把握图1所示的基膜的表面的电极层和基膜的背面的屏蔽层的从基膜的厚度方向观察时的重复关系。

图4C是比较例3，且是从图1所示的A方向透视观察静电电容检测装置的基膜的背面的俯视图。通过图示为这样的透视俯视图，能够容易地把握图1所示的基膜的表面的电极层和基膜的背面的屏蔽层的从基膜的厚度方向观察时的重复关系。

图4D是比较例4，且是从图1所示的A方向观察静电电容检测装置（传感器片10）的基膜20的表面20a的俯视图。

图5是表示本发明的实施方式的静电电容检测装置和比较例的、电极和电极寄生电容的关系的寄生电容测定结果的曲线图。

图6是表示本发明的实施方式的静电电容检测装置和比较例的无线电噪声评价的结果的表。

符号说明