[发明专利]显示面板的像素及其驱动方法有效
申请号: | 201310174969.6 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103400544A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 林俊杰;陈雅铃 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 像素 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板的像素及其驱动方法,尤其是涉及一种可补偿电性特性差异的显示面板的像素及其驱动方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板是一种利用有机发光二极管像素发光以显示画面的显示装置。有机发光二极管的亮度正比于流经有机发光二极管的电流大小。一般而言,为了控制流经有机发光二极管的电流大小,有机发光二极管像素会包含电流控制开关,用以根据其栅极端的显示电压控制流经有机发光二极管的电流大小,进而控制有机发光二极管的亮度。
然而,每一有机发光二极管像素的电流控制开关的临界电压会有差异,再者,有机发光二极管的老化也会造成有机发光二极管的跨电压发生变化,上述电流控制开关及有机发光二极管的电性特性差异会影响有机发光二极管的显示亮度。现有有机发光二极管显示装置容易受到电流控制开关及有机发光二极管的电性特性差异的影响,造成显示画面的质量变差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可补偿电性特性差异的显示面板的像素及其驱动方法,以解决现有技术的问题。
本发明显示面板的像素包含第一晶体管,其第一端耦接于数据线,控制端耦接于扫描线用以接收扫描信号;第二晶体管,其第一端耦接于第一电压源,控制端耦接于该第一晶体管的第二端;第三晶体管,其第一端耦接于该第二晶体管的第二端,控制端用以接收控制信号;发光单元,其第一端耦接于该第二晶体管的第二端,第二端耦接于第二电压源;第一电容,其第一端耦接于该第一晶体管的第二端,第二端耦接于该第三晶体管的第二端;及第二电容,其第一端耦接于该第一电容的第二端,第二端耦接于该第二电压源。
本发明显示面板的像素驱动方法包含提供一显示面板,该显示面板包含多条扫描线,多条数据线及多个像素,每一像素包含第一晶体管,第二晶体管,第三晶体管,发光单元,第一电容,及一第二电容,该第一晶体管的第一端耦接于该些数据线的一数据线,该第一晶体管的控制端耦接于该些扫描线的一扫描线用以接收扫描信号,该第二晶体管的第一端耦接于第一电压源,该第二晶体管的控制端耦接于该第一晶体管的第二端,该第三晶体管的第一端耦接于该第二晶体管的第二端,该第三晶体管的控制端用以接收控制信号,该发光单元的第一端耦接于该第二晶体管的第二端,该发光单元的第二端耦接于一第二电压源,该第一电容的第一端耦接于该第一晶体管的第二端,该第一电容的第二端耦接于该第三晶体管的第二端,该第二电容的第一端耦接于该第一电容的第二端,该第二电容的第二端耦接于该第二电压源;于一扫描时段内开启该第一晶体管;于该扫描时段的第一子时段中,该第一晶体管的第一端接收第一电压信号,以重置该第一电容及该第二电容的电压;于该扫描时段的第二子时段中,该第一晶体管的第一端接收相异于该第一电压信号的第二电压信号,以写入补偿电压于该第一电容的第二端;于该扫描时段的第三子时段中,该第一晶体管的第一端接收一显示电压信号,以根据该补偿电压对该显示电压信号进行补偿;及于该扫描时段后关闭该第一晶体管。
相较于现有技术,本发明显示面板的像素及其驱动方法可有效地补偿电流控制开关及有机发光二极管的电性特性差异。因此,本发明显示面板的画面质量不会受到电流控制开关及有机发光二极管的电性特性差异的影响,进而改善显示画面的质量。
附图说明
图1为本发明显示装置的示意图;
图2为图1显示装置的像素的第一实施例的示意图;
图3为本发明像素的第一实施例的相关信号的波形示意图;
图4为本发明像素的第一实施例的驱动方法的示意图;
图5为本发明像素的第一实施例的驱动方法的示意图;
图6为本发明像素的第一实施例的驱动方法的示意图;
图7为本发明像素的第一实施例的驱动方法的示意图;
图8为图1显示装置的像素的第二实施例的示意图;
图9为本发明像素的第二实施例的相关信号的波形示意图;
图10为本发明像素的第二实施例的驱动方法的示意图;
图11为本发明像素的第二实施例的驱动方法的示意图;
图12为本发明像素的第二实施例的驱动方法的示意图;
图13为本发明像素的第二实施例的驱动方法的示意图。
附图标记
100:显示面板 110:像素
120:发光单元 C1:第一电容
C2:第二电容 N1:第一N型晶体管
N2:第二N型晶体管 N3:第三N型晶体管
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