[发明专利]用于室温的氨敏传感器元件的制备方法

权利要求书

1.一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，具有如下步骤：

(1)清洗硅基片衬底：

将电阻率为0.01～0.02Ω·cm的n型单晶硅基片单面抛光，其厚度为400～500μm，依次放入丙酮溶剂、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20分钟，除去表面油污及有机物杂质；随后放入质量分数为5%的氢氟酸水溶液中浸泡15分钟，除去表面的氧化层；再用去离子水冲洗净备用；

(2)制备硅基多孔硅：

采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅抛光表面制备多孔硅，所用电解液由氢氟酸和去离子水组成，其体积比为1：5，施加的腐蚀电流密度为95～135mA/cm²，腐蚀时间为20～25min；

(3)制备多孔硅氨敏传感器元件：

将步骤(2)中制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室。采用金属铂作为靶材，以氩气作为工作气体，气体流量为20～25sccm，溅射工作压强为2～3Pa，溅射功率80～100W，溅射时间8～15min，在多孔硅表面沉积铂电极，制成氨敏传感器元件。

2.根据权利要求1的用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的硅基片衬底的尺寸为2.4～2.2cm×0.8～0.9cm。

3.根据权利要求1的用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)制备的多孔硅平均孔径90～170nm，厚度为55～68μm。

4.根据权利要求1的用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的制备条件为：采用的金属铂靶材质量纯度为99.95%，以质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体，本底真空度4～6×10^-4Pa，采用射频磁控溅射法制备的铂电极厚度为80～150nm。

5.根据权利要求1的用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的超高真空对靶磁控溅射设备的真空室为DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射设备的真空室。