[发明专利]射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于：射频功率放大器集成于同一芯片上，所述射频功率放大器包括：输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大电路、输出匹配网络、第二级偏置电路；

所述输入匹配网络连接于射频信号输入端和所述第一级放大电路的输入端之间；所述级间匹配网络连接于所述第一级放大电路的输出端和所述第二级放大电路的输入端之间；所述输出匹配网络连接于所述第二级放大电路的输出端和射频信号输出端之间；

所述第一级放大电路包括自偏置的共源共栅CMOS放大器，所述共源共栅CMOS放大器的输出端和电源电压之间连接有第一级扼流电感，所述共源共栅CMOS放大器的自偏置电路为所述共源共栅CMOS放大器的共栅CMOS放大器提供第一偏置电压；

所述第二级放大电路包括共射极连接的第一锗硅异质结双极型晶体管，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极和电源电压之间连接有第二级扼流电感，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极作为所述第二级放大电路的输入端，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极作为所述第二级放大电路的输出端；

所述第二级偏置电路为所述第二级放大电路提供第二偏置电压。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：

所述第一级放大电路的共源共栅CMOS放大器包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极作为所述第一级放大电路的输入端，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极；所述第一NMOS管的栅极通过第一电阻和偏置电压源相连；

所述第二NMOS管的漏极作为所述第一级放大电路的输出端，所述第一级扼流电感连接于所述第二NMOS管的漏极和电源电压之间；所述第二NMOS管的漏极和栅极之间连接有第二电阻，所述第二NMOS管的栅极和地之间连接有第三电容，所述电源电压通过所述第二电阻提供所述第一偏置电压。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述第二级偏置电路包括：第二锗硅异质结双极型晶体管、第三锗硅异质结双极型晶体管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电容；

所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极连接电源电压，所述第三电阻连接于所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极和基极之间，所述第四电阻连接于所述第二锗硅异质结双极型晶体管的发射极和所述第三锗硅异质结双极型晶体管的基极之间，所述第五电阻连接于所述第二锗硅异质结双极型晶体管的发射极和所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极之间；

所述第六电容连接于所述第三锗硅异质结双极型晶体管的集电极和发射极之间，所述第三锗硅异质结双极型晶体管的集电极和所述第二锗硅异质结双极型晶体管的基极，所述第三锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地。

4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述输入匹配网络为L型匹配网络。

5.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述输出匹配网络为T型匹配网络。

6.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述级间匹配网络为T型匹配网络。

7.如权利要求1或4所述的射频功率放大器，其特征在于：在所述射频信号输入端和所述输入匹配网络之间设置有隔直电容。

8.如权利要求1或5所述的射频功率放大器，其特征在于：在所述输出匹配网络和所述射频信号输出端之间设置有隔直电容。

9.如权利要求1或3所述的射频功率放大器，其特征在于：所述第一锗硅异质结双极型晶体管工作于AB类状态。