[发明专利]混合集成的构件和用于其制造的方法

权利要求书

1.一种混合集成的构件(100)，至少包括一载体(20)、一MEMS结构元件(10)和一盖(30)，

·其中，该MEMS结构元件(10)通过托脚结构(21)装配在该载体(20)上和

·其中，该盖(30)布置在该MEMS结构元件(10)的微机械结构(11)上方；

其特征在于，所述MEMS结构元件(10)以层结构的形式实现并且所述MEMS结构元件(10)的微机械结构(11)延伸经过该层结构的至少两个功能层(3，5)，所述至少两个功能层通过至少一个中间层(4)相互分开，其中，所述MEMS结构元件(10)的所述微机械结构包括至少一个能够偏转的震动质量(11)，所述震动质量通过所述托脚结构(21)的唯一的支撑位置(23)与所述载体(20)连接。

2.根据权利要求1所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述MEMS结构元件(10)的微机械结构(11)包括至少一个延伸经过所述两个功能层(3，5)的区段和至少一个仅延伸经过所述两个功能层(3，5)中的一个的区段。

3.根据权利要求1或2所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述MEMS结构元件(10)的两个功能层(3，5)涉及单晶的硅层。

4.根据权利要求1或2所述的混合集成的构件，其特征在于，所述MEMS结构元件的一个功能层通过一SOI晶片的功能层构成并且该MEMS结构元件的另一个功能层通过SOI载体衬底构成。

5.根据权利要求1或2所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述MEMS结构元件(10)的两个功能层(3，5)通过双层的SOI晶片的两个功能层(3，5)构成。

6.根据权利要求1或2所述的混合集成的构件(100)，其中，所述MEMS结构元件(10)的所述微机械结构设置有用于感测该震动质量(11)的偏转的电路器件，并且所述震动质量布置在所述盖(30)和具有用于传感器信号的分析电路的ASIC结构元件(20)之间的封闭的空腔(22)中。

7.根据权利要求6所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述震动质量(11)包括至少一个延伸经过两个功能层(3，5)的区段和至少一个仅延伸经过两个功能层(3，5)中的一个的区段，从而该震动质量(11)的质量分布相对于该震动质量的悬挂装置或者支承装置(23)非对称。

8.根据权利要求6所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，在所述震动质量(11)中构造有一通风口(7)，该通风口延伸经过该震动质量(11)的整个厚度。

9.根据权利要求1所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述载体是呈ASIC结构元件(20)形式的载体。

10.用于制造混合集成的构件的方法，该混合集成的构件具有至少一个载体、至少一个MEMS结构元件和一用于该MEMS结构元件的微机械结构的盖，

·其中，在该载体上产生一托脚结构，

·其中，将作为MEMS衬底起作用的SOI晶片的功能层结构化并且

·其中，该MEMS衬底面朝下地与该结构化的功能层一起装配在该载体的托脚结构上，

其特征在于，

·所述SOI晶片的SOI衬底作为所述MEMS衬底的第二功能层起作用并且在该MEMS衬底装配在所述载体上之后被结构化，从而形成一微机械结构，该微机械结构延伸经过所述功能层和所述SOI衬底，并且

·在所述微机械结构上装配一盖晶片。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述SOI衬底在它被作为所述MEMS衬底的第二功能层结构化之前，回薄到一预先给定的厚度。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述载体是呈ASIC结构元件(20)形式的载体。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法用于制造根据权利要求1至9中任一项的混合集成的构件。