[发明专利]溅射靶及氧化物半导体膜

权利要求书

1.一种溅射靶，其中，

含有InGaO₃(ZnO)_m所示的同系结构化合物及ZnGa₂O₄所示的尖晶石结构化合物，InGaO₃(ZnO)_m中，m为1～20的整数。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

至少含有InGaZnO₄所示的同系结构化合物。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

In/(In+Ga+Zn)所示的原子比、Ga/(In+Ga+Zn)所示的原子比及Zn/(In+Ga+Zn)所示的原子比满足下式：

0.2＜In/(In+Ga+Zn)＜0.77

0.2＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.50

0.03＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.50。

4.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

In/(In+Ga+Zn)所示的原子比及Ga/(In+Ga+Zn)所示的原子比满足下式：

In/(In+Ga+Zn)＞Ga/(In+Ga+Zn)。

5.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

含有正四价以上的金属元素，

并且，相对于全部金属元素，所述正四价以上的金属元素的含量满足：

正四价以上的金属元素/全部金属元素的原子比＝0.0001～0.2。

6.根据权利要求5所述的溅射靶，其中，

所述正四价以上的金属元素为选自锡、锆、锗、铈、铌、钽、钼及钨中的1种以上的元素。

7.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

所述溅射靶的体积电阻率不到5×10^-3Ωcm。

8.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

所述ZnGa₂O₄所示的尖晶石结构化合物的平均粒径为10μm以下。

9.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

所述溅射靶的烧结体密度为6.0g/cm³以上。

10.根据权利要求1所述的溅射靶，

所述溅射靶的表面粗糙度为2μm以下、且平均抗弯强度为50MPa以上。

11.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

Fe、Al、Si、Ni及Cu的含量分别以重量计为10ppm以下。

12.权利要求1～11中任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，

对氧化铟、氧化镓及氧化锌进行微粉碎及混合制粒，制备混合物；

将所述混合物成形，制作成形体；

在氧气流中或氧加压状态下，于1250℃以上、不到1450℃的温度下对所述成形体进行烧成。

13.一种氧化物半导体膜，

其由权利要求1～11中任一项所述的溅射靶溅射进行成膜而得。

14.一种权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中包括：

以下述混合粉体为原料，用湿式介质搅拌磨机将所述原料混合粉碎，使比表面积较混合粉体整体的比表面积增加1.0～3.0m²/g的工序，所述混合粉体含有比表面积为6～10m²/g的氧化铟粉、比表面积为5～10m²/g的氧化镓粉和比表面积为2～4m²/g的氧化锌粉且粉体整体的比表面积为5～8m²/g；以及

将上述工序后的原料成形，并在氧气氛中于1250～1450℃进行烧结的工序。

15.一种权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其中包括：

以下述混合粉体为原料，用湿式介质搅拌磨机将所述原料混合粉碎，使原料的中值粒径为0.6～1μm的工序，所述混合粉体含有粒度分布的中值粒径为1～2μm的氧化铟粉、中值粒径为1～2μm的氧化镓粉和中值粒径为0.8～1.6μm的氧化锌粉且粉体整体的中值粒径为1.0～1.9μm；以及

将上述工序后的原料成形，并在氧气氛中于1250～1450℃进行烧结的工序。