[发明专利]发光二极管阵列的制作方法及发光二极管显示装置的制法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列的制作方法，包括：

提供一第一基板以及一第二基板；

于该第一基板的一第一表面形成一无机发光材料；

于该无机发光材料上形成一透明导电层；

将形成有该无机发光材料的该第一基板的一第二表面与该第二基板进行贴合；

将至少部分的该第一基板移除以形成多个下电极；

将至少部分的该无机发光材料移除以形成多个发光材料单元；以及

将至少部分的该透明导电层移除以形成多个上电极，其中各该发光材料单元形成于对应的该上电极与该下电极之间，且各该发光材料单元与对应的该上电极与该下电极形成一发光二极管。

2.如权利要求1所述的制作方法，还包括于该多个下电极形成后于该第二基板上定义出以一阵列方式排列的多个像素区，且各该发光二极管形成于各该像素区内。

3.如权利要求1所述的制作方法，还包括：

形成一图案化的第一绝缘层，覆盖该多个发光二极管与该第二基板，且该第一绝缘层具有多个第一开口，其中各该第一开口是部分暴露出各该下电极；

形成多条下电极导线，其中各该下电极导线通过该多个第一开口与对应的该多个下电极电连接；

形成一图案化的第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层与该多个下电极导线，且该第二绝缘层具有多个第二开口，其中各该第二开口是部分暴露出各该上电极；以及

形成多条上电极导线，其中各该上电极导线通过该多个第二开口与对应的该多个上电极电连接。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该无机发光材料以一分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方式形成于该第一基板上。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一基板包括含重掺杂的N型硅基板。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该无机发光材料包括氮化镓(gallium nitride,GaN)以及氮化铟镓(indium gallium nitride,InGaN)。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该无机发光材料包括至少一n型氮化镓纳米棒(nanorod)、至少一p型氮化镓纳米棒以及至少一氮化铟镓纳米盘(nanodisk)，且该氮化铟镓纳米盘形成于该n型氮化镓纳米棒与该p型氮化镓纳米棒之间。

8.一种发光二极管显示装置的制作方法，包括：

提供一第一基板以及一第二基板；

于该第一基板的一第一表面形成一无机发光材料；

于该无机发光材料上形成一透明导电层；

将形成有该无机发光材料的该第一基板的一第二表面与该第二基板进行贴合；

将至少部分的该第一基板移除以形成多个下电极；

将至少部分的该无机发光材料移除以形成多个发光材料单元；

将至少部分的该透明导电层移除以形成多个上电极，其中各该发光材料单元形成于对应的该上电极与该下电极之间，且各该发光材料单元与对应的该上电极与该下电极形成一发光二极管；以及

形成多个彩色滤光单元，其中各该彩色滤光单元与至少一该发光二极管互相对应。

9.如权利要求8所述的制作方法，还包括提供一第三基板，其中该多个彩色滤光单元形成于该第三基板上。

10.如权利要求9所述的制作方法，还包括于该第二基板与该第三基板之间形成一粘合层，用以结合该第二基板与该第三基板。

11.如权利要求8所述的制作方法，还包括于该多个下电极形成后于该第二基板上定义出以一阵列方式排列的多个像素区，且各该发光二极管形成于各该像素区内。

12.如权利要求8所述的制作方法，还包括：

形成一图案化的第一绝缘层，覆盖该多个发光二极管与该第二基板，且该第一绝缘层多个第一开口，其中各该第一开口是部分暴露出各该下电极；

形成多条下电极导线，其中各该下电极导线通过该多个第一开口与对应的该多个下电极电连接；

形成一图案化的第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层与该多个下电极导线，且该第二绝缘层具有多个第二开口，其中各该第二开口是部分暴露出各该上电极；以及

形成多条上电极导线，其中各该上电极导线通过该多个第二开口与对应的该多个上电极电连接。