[发明专利]一种超薄型VSOP封装件及其生产方法

说明书

技术领域

本发明属于电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种封装件，尤其涉及一种超薄型VSOP封装件；本发明还涉及一种该超薄型VSOP封装件的生产方法。 

背景技术

集成电路（Integrated circuit Corde，简称IC）封装是近20年来传入中国的一项新技术。它是把具有存储、运算等功能的集成电路IC芯片包封在一种塑料材料里，使其成为能存储、转载、传递、处理数据的载体。IC封装件的成本一般比磁卡高，但容量大、体积小、重量轻、抗干扰能力强、便于携带、易于使用、保密性更好、使用寿命长。近10年，行业市场增速每年都维持在15%～20%，由于其具有信息存储量大，安全保密性好、存储快捷等优点、己在电信、金融、商贸、交通、城市公共事业管理等众多领域得到广泛应用，并取得了初步的社会效益和经济效益。目前，IC（集成电路）封装技术不断向高度集成化、高性能化、多引线和细间距化方向发展，随之出现了小引出线封装（Very thin Small Outline  Package，简称VSOP封装），VSOP封装的连接脚与封装件之间的距离很小，能够满足多种功能的要求，但现有小引出线封装的封装良率较低，而且成本较高。 

发明内容

本发明的目的是提供一种超薄型VSOP封装件，具有较高的封装良率，而且成本较低。

本发明的另一个目的是提供一种上述封装件的生产方法。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种超薄型VSOP封装件，包括载体，载体上粘接有IC芯片，IC芯片通过键合线与内引脚相连接，内引脚与连接脚相连接，载体、IC芯片、键合线、内引脚以及连接脚与内引脚相连接的一端均封装于塑封体，载体朝向内引脚的两个侧面各有3个半圆形的凹槽，载体背面设有呈矩阵式排列的多个凹坑，用以增强塑封体与载体背面和侧面的结合力；塑封体两侧各伸出四个连接脚，连接脚伸出塑封体的长度为1mm～1.5mm，相邻两个连接脚之间的距离为1.27±0. 05mmBSC。

所有内引脚朝向载体的一端为“T”字型，沿远离载体的方向、内引脚上依次设有锁定孔和V形槽，用以增强塑封体与框架结合力，防止切筋和成形时引脚松动而产生离层，提高产品可靠性，满足MSL1可靠性要求。

本发明所采用的另一个技术方案是：一种上述超薄型VSOP封装件的生产方法，具体按以下步骤进行：

a.晶圆减薄

通过粗磨、精磨和抛光，得到最终厚度为150μm～170μm的晶圆；晶圆减薄过程中采用防止芯片翘曲工艺。

b. 划片

对减薄后的晶圆划片，划片进刀速度6～10mm/s，划片后清洗烘干；

c. 上芯

取背面粘贴有防溢料胶膜的多排矩阵式引线框架，上芯；根据芯片尺寸大小，采用DOE方法优化选用吸咀、多头顶针以及多头点胶头，采用划胶工艺、划胶速度300mm/s控制出胶量，防止爬胶；上芯后选用排风量≤20L/min、内部温度均匀的烘箱，采用先低温烘烤后高温烘烤的分段烘烤防分层工艺，在150℃～175℃的温度下烘烤3小时；

d.压焊

采用金丝键合低弧度控制技术进行压焊，通过平弧、反打与正打相结合的方式，以及尖锐拐角和平拐角的高级线弧形状，控制键合线弧高≤100μm；

e. 塑封及后固化

采用超薄型防翘曲和减小、消除离层的塑封工艺，控制模流和注塑速度，进行塑封；保证冲丝率＜5%，防胶体未填充、防芯片顶出破裂和焊线外漏，减少反包或回包；注塑后的固化时间比正常固化时间增加10秒～30秒；

后固化时采用防翘曲夹具夹持塑封后的IC框架料条，在175℃的温度下老化5小时，烘箱温度降至70℃以下后置于室温条件完全冷却；

f. 切除引线框架上的中筋连杆，切筋模具的刀具与塑封体之间的间隙大于0.05mm；

g. 打印工艺与同引脚SOP相同；

h. 对塑封体及外露电镀引线进行无铅镀锡，使连接脚表面镀覆一层焊锡；但是，镍钯金电镀框架不用电镀；

i. 采用冲切分离式入管方法冲切分离，在满足产品质量要求前提下控制冲切刀片到塑封体的距离为0.10mm，模具使塑封体上下固定压实，避免悬空，生产中及时清理模具内残胶碎片，防止残留异物造成产品偏移，以及多余物挤压导致塑封体产生破裂的隐患；

冲切分离入管后的产品经外观检验后,按客户要求包装入库。

本封装件重点解决的问题是突破超薄型（VSOP）IC芯片封装的关键技术。具体为：