[发明专利]自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置有效
申请号: | 201310177071.4 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103212774A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 王波;李娜;姚英学;李国;金会良;辛强;金江;李铎 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | B23K10/00 | 分类号: | B23K10/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自由 曲面 光学 零件 大气 等离子体 数控 加工 装置 | ||
1.自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置,其特征在于它由大口径的等离子体炬(1)、中口径的等离子体炬(2)、小口径的等离子体炬(3)、五轴联动数控机床(4)、射频电源(5)、混合等离子体气源(7)组成;
五轴联动数控机床(4)的绝缘工作架(4-1)上安装有大口径的等离子体炬(1)或中口径的等离子体炬(2)或小口径的等离子体炬(3),大口径的等离子体炬(1)或中口径的等离子体炬(2)或小口径的等离子体炬(3)可与射频电源(5)的输出端连接作为大气等离子体放电的阳极;将待加工光学零件(6)装卡在地电极(4-2)上,地电极(4-2)固定在五轴联动数控机床(4)的水平运动工作台(4-3)上;将地电极(4-2)接地作为大气等离子体放电的阴极;当绝缘工作架(4-1)上安装有大口径的等离子体炬(1)时,大口径的等离子体炬(1)的进气端口(1-1)可通过绝缘工作架(4-1)上的导气孔(4-4)、气管(7-1)与混合等离子体气源(7)导气连通;当绝缘工作架(4-1)上安装有中口径的等离子体炬(2)时,中口径的等离子体炬(2)的进气端口(2-1)可通过绝缘工作架(4-1)上的导气孔(4-4)、气管(7-1)与混合等离子体气源(7)导气连通;当绝缘工作架(4-1)上安装有小口径的等离子体炬(3)时,小口径的等离子体炬(3)的进气端口(3-2)可通过绝缘工作架(4-1)上的导气孔(4-4)、气管(7-1)与混合等离子体气源(7)导气连通;大口径的等离子体炬(1)的放电工作面或中口径的等离子体炬(2)的放电工作面或小口径的等离子体炬(3)的放电工作面靠近待加工光学零件(6)的待加工表面,并使它们之间保持一定的放电间隙,放电距离范围为2mm-5mm。
2.根据权利要求1所述的自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置,其特征在于所述大口径的等离子体炬(1)的放电工作面为方形平面或圆形平面,其材质为铝,并与射频电源(5)的输出端连接作为大气等离子体放电的阳极,其边侧位置设置有进气口(1-1),进气口(1-1)与绝缘工作架(4-1)上的导气孔(4-4)的出气口导气连接;当大口径的等离子体炬(1)进行大气等离子体加工时,离子体气体的流量为2 L/min-5 L/min,反应气体的气体流量为20 ml/min-90 ml/min,辅助气体与反应气体流量的比例为0%-50%,所加射频功率范围200W-400W。
3.根据权利要求1所述的自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置,其特征在于所述中口径的等离子体炬(2)由内电极(A1)、圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)、圆环形绝缘固定套(A3)、中空圆环形外电极(A4)、圆管形陶瓷喷嘴(A5)组成;
圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)的上端面上开有与圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)内孔(A2-1)连通的进气孔(A2-2),圆环形绝缘固定套(A3)上设置有多个通气孔(A3-1),中空圆环形外电极(A4)内部设置有冷却空腔(A4-1);内电极(A1)的上端镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)的内孔(A2-1)的上端中,圆环形绝缘固定套(A3)套接在内电极(A1)的中部,圆环形绝缘固定套(A3)外圆面的上部镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)的内孔(A2-1)的下端处,圆管形陶瓷喷嘴(A5)的上端套接在圆环形绝缘固定套A3外圆面的下部上,使圆管形陶瓷喷嘴(A5)的内圆面与内电极(A1)的外圆面下部之间有一圈均匀的间隙(A5-1),使进气孔(A2-2)通过内孔(A2-1)、通气孔(A3-1)与间隙(A5-1)导气连通,中空圆环形外电极A4的上端与圆环形聚四氟乙烯连接块(A2)的下端连接,中空圆环形外电极A4的内孔套接在圆管形陶瓷喷嘴(A5)的外圆面上,中空圆环形外电极(A4)的下端面与圆管形陶瓷喷嘴(A5)的下端面、内电极(A1)的下端面平齐;所述内电极(A1)与射频电源(5)的输出端连接作为大气等离子体放电的阳极,进气孔(A2-2)与绝缘工作架(4-1)上的导气孔(4-4)的出气口导气连接;当中口径的等离子体炬(2)进行大气等离子体加工时,离子体气体的流量为2 L/min-3 L/min,反应气体的气体流量为10 ml/min-80 ml/min,辅助气体与反应气体流量的比例为0%-50%,所加射频功率范围200W-360W。
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