[发明专利]可挠透光基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板及其制造方法，特别是涉及一种适合配合一个背板及一个发光单元等构件进行封装，进而构成一个显示器模组的可挠透光基板及其制造方法。

背景技术

一般显示器模组通常包含一个透光基板、一个与该透光基板间隔的背板，以及设置于该透光基板与该背板之间的一个发光单元、一个触控感应单元或一个液晶单元等。其中，该透光基板能将该发光单元投射而来的光线向外导出，然而由于该透光基板的材料通常为玻璃，因此韧性不佳而容易因碰撞而破裂、损坏。

另一方面，随着科技的进步，以有机发光二极管（Organic Light-EmittingDiode，简称OLED）做为发光单元的可触控式显示器模组是目前科技研发的重点，这是因为OLED具有高亮度、高对比、广视角与厚度薄等优点，还能符合显示器模组的轻薄化要求。此外，OLED还可配合可挠的透光基板与背板进行封装，进而制成可收折的显示器模组，并具有方便携带等人性化的优点。

所述可挠的透光基板的材料可以是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，其可弯挠的性质可克服以往使用玻璃透光基板容易因碰撞而损坏的问题，然而所述可挠性的透光基板的硬度较低，其表面容易产生刮痕也容易累积污垢，进而影响该发光单元投射光线的透光效果，使得所述显示器模组的影像品质不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种层体之间的结合性佳且兼具优异的抗污效果与抗刮效果的可挠透光基板及其制造方法。

本发明可挠透光基板，包含一个由可挠性材料制成的透光基材。该透光基材包括一个设置面，而该可挠透光基板还包含一个配置于该透光基材的设置面上且其材料为氮化硅或硅碳氮化合物的缓冲膜，以及一个配置于该缓冲膜上且其材料为碳氢化合物并具有疏水性的类钻碳膜。

本发明所述可挠透光基板，该缓冲膜的厚度为10～700nm。

本发明所述可挠透光基板，该类钻碳膜的厚度为5～100nm。

本发明所述可挠透光基板，该透光基材的材料为聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚酰胺纤维、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚苯乙烯或双轴延伸聚苯乙烯。

本发明可挠透光基板的制造方法，包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内，并位于该表面处理装置的两片电极板之间；(B)通过辉光放电方式，在该透光基材的一个设置面上形成一个缓冲膜，且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物；及(C)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜，且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性，就能制得该可挠透光基板。

本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(B)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。

本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(B)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。

本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。

本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(B)中，该反应室内的温度为20～100℃。

本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(C)中，该反应室内的温度为20～100℃。

本发明的有益效果在于：通过该缓冲膜能稳固地结合该透光基材与该类钻碳膜，因此该可挠透光基板的层体之间的结合性优异，同时通过该类钻碳膜疏水性佳而具有优异的阻水效果，进而使得该可挠透光基板的表面容易清洁而不易累积污垢。此外，该类钻碳膜也具有优异的抗刮性，不易因碰撞而产生磨损或伤痕。此外，该可挠透光基板能维持良好的透光品质，并且将该可挠透光基板封装成显示器模组时，所述显示器模组可维持良好的影像品质。

附图说明

图1是本发明可挠透光基板的一个较佳实施例的一个局部侧视示意图；

图2是一个侧视剖视示意图，显示本发明可挠透光基板的制造方法的一个较佳实施例所使用的一个表面处理装置；

图3是该制造方法的一个步骤流程方块图；