[发明专利]一种芯片磁传感器在审
申请号: | 201310177550.6 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104157070A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 刘乐杰;时启猛;曲炳郡 | 申请(专利权)人: | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 |
主分类号: | G07D7/04 | 分类号: | G07D7/04 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 传感器 | ||
1.一种芯片磁传感器,包括:
芯片,其包括基体以及设于所述基体表面的磁感应膜、芯片焊盘和导电通路,所述磁感应膜通过所述导电通路与所述芯片焊盘电连接,所述磁感应膜用于感应设于被检测物体内的磁标识的磁场;
线路板,用于固定所述芯片,其上设有线路板焊盘,所述芯片焊盘与所述芯片焊盘对应电连接;
其特征在于,所述芯片焊盘设于所述基体的侧面或下表面。
2.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,还包括焊线,所述线路板焊盘与所述芯片焊盘通过所述焊线对应电连接。
3.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述导电通路包括导电槽、导电孔或导电柱,所述导电槽设于所述基体的侧面;所述导电孔设于所述基体内;所述导电柱设于所述基体的侧面或所述基体内。
4.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述芯片焊盘自所述基体依次包括铜层、过渡层和镀金层;或者依次包括银层、过渡层和镀金层。
5.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述基体采用硅或氧化硅或氧化镁制作。
6.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,还包括叠置地导磁体和永磁体,所述导磁体位于所述被检测物体一侧;
所述导磁体设有对称设置的凸部,所述凸部位于所述被检测物体一侧,所述芯片设于所述凸部之间;
在所述线路板上设有与所述凸部匹配的通孔,所述导磁体的插入所述通孔。
7.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,还包括:
永磁体,所述永磁体设有第一容腔;
导磁体,所述导磁体上设有凹部,所述芯片设于所述凹部,所述导磁体嵌套于所述第一容腔。
8.根据权利要求7所述的芯片磁传感器,其特征在于,设置在所述永磁体上的第一容腔为凹槽、凹坑或通孔。
9.根据权利要求7所述的芯片磁传感器,其特征在于,设置在所述导磁体上的凹部凹槽、凹坑或通孔。
10.根据权利要求6或7所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述导磁体采用硅钢片材料、坡莫合金或铁氧体制作。
11.根据权利要求6和7所述的芯片磁传感器,其特征在于,还包括壳体,所述芯片、所述永磁体、所述导磁体和所述线路板设于所述壳体内,所述芯片位于所述被检测物体一侧。
12.根据权利要求11所述的芯片磁传感器,其特征在于,还包括焊针,所述焊针的一端借助所述线路板与对应的所述芯片焊盘电连接,另一端自所述壳体内伸出。
13.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述焊线为金线、银线、铜线或锡线。
14.根据权利要求1所述的芯片磁传感器,其特征在于,所述磁感应膜为霍尔效应薄膜、各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜、隧道磁电阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍尔效应薄膜。
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