[发明专利]一种版图结构、暗像素结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，包括：带有开槽图形的顶层金属层图案的第一版图，带有通孔槽图形的第二版图，带有第二金属层图形的第三版图，所述第一、第二和第三版图依次从上到下相互配合以形成暗像素结构的版图结构；其中，所述第一版图的开槽图形位于所述第二版图的通孔槽图形内边缘围成的图形的上方，所述第三版图的第二金属层图形位于所述第二版图的通孔槽图形的下方。

2.根据权利要求1所述的一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，所述开槽图形的中心位置与所述通孔槽图形内边缘围成的图形的中心位置上下对齐。

3.根据权利要求1所述的一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，所述的通孔槽图形为回形或环形。

4.根据权利要求1所述的一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，所述第二金属层图形包括衬垫层图形，所述衬垫层图形位于所述通孔槽图形外边缘围成的图形的下方且将所述通孔槽图形外边缘围成的图形遮挡住。

5.根据权利要求1所述的一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，所述衬垫层图形的横截面面积大于等于所述通孔槽图形外边缘围成的图形的横截面面积。

6.根据权利要求1所述的一种形成暗像素结构的版图结构，其特征在于，所述通孔槽图形内边缘围成的图形的横截面面积大于等于所述开槽图形的横截面面积。

7.一种利用上述权利要求1-6任一版图结构形成的暗像素结构，包括位于感光器件的上方的接触孔，位于所述接触孔上方的第一金属层，位于所述第一金属层上方的通孔，以及位于所述通孔上方的第二金属层，其特征在于：在所述第二金属层的上方设有填充有金属的通孔槽，在所述通孔槽的上方设有带有开槽的顶层金属层，其中，所述开槽位于所述通孔槽的内边缘围成的区域的上方。

8.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述的通孔槽为回形槽或环形槽。

9.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述开槽的横截面的图形的中心位置与所述通孔槽的内边缘围成的区域的横截面的图形的中心位置上下对齐。

10.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述的第二金属层包括衬垫层，所述衬垫层位于所述通孔槽外边缘围成的区域的下方且将所述通孔槽外边缘围成的区域的底部挡住。

11.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述第二金属层的衬垫层的横截面面积大于等于所述通孔槽外边缘围成的区域的横截面面积。

12.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述通孔槽内边缘围成的区域的横截面面积大于等于所述开槽的横截面面积。

13.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，所述暗像素结构用于铜互连工艺中，所述顶层金属层的材料和所述通孔槽中填充的材料为铜。

14.根据权利要求7所述的暗像素结构，其特征在于，第二金属层的材料为铜。

15.一种形成暗像素结构的方法，其特征在于，包括：

步骤S01：在感光器件上方的形成接触孔，在所述接触孔的上方形成第一金属层，在所述第一金属层的上方形成通孔；

步骤S02：在所述通孔的上方形成第二金属层；

步骤S03：在所述第二金属层的上方沉积介质层，经光刻和刻蚀，在所述介质层中形成通孔槽和带有开槽的顶层金属层结构；

步骤S04：在所述通孔槽和所述顶层金属层结构中填充金属,从而形成顶层金属层。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述步骤S02中，包括在第二金属层中形成衬垫层，在所述衬垫层的上方形成所述通孔槽，所述衬垫层位于所述通孔槽外边缘围成的区域的下方且将所述通孔槽外边缘围成的区域的底部挡住。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述的填充金属之后，对所述的顶层金属层结构中的填充金属进行平坦化处理，形成顶层金属层，然后在所述的顶层金属层上沉积一层保护介质层。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述开槽的横截面的图形的中心位置与所述通孔槽的内边缘围成的区域的横截面图形的中心位置上下对齐。