[发明专利]光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法在审
申请号: | 201310177684.8 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103426995A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 小内谕;岩田充弘;原田良文;木村真司 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 用基板 制造 方法 | ||
1.一种光半导体装置用基板,其具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第1电极电性连接的第1导线、及与前述光半导体元件的第2电极电性连接的第2导线,并且,所述光半导体装置用基板的特征在于,
通过注射成型,在分别并列配置多条的前述第1导线与前述第2导线之间贯穿的间隙中,成型有热固化性树脂组合物的成型体,且所述成型体是形成为板状的树脂成型体;前述第1导线、前述第2导线及前述树脂成型体的表里两面分别露出的表面,是位于相同平面上。
2.如权利要求1所述的光半导体装置用基板,其中,在前述第1导线与前述第2导线的表面上,实施有金属电镀。
3.如权利要求1所述的光半导体装置用基板,其中,在前述第1导线与前述第2导线的厚度方向的侧面,具有台阶、斜度、或凹部。
4.如权利要求2所述的光半导体装置用基板,其中,在前述第1导线与前述第2导线的厚度方向的侧面,具有台阶、斜度、或凹部。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述并列配置多条的前述第1导线与前述第2导线,通过系杆,与框状的框架连结;并且,所述系杆具有小于前述第1导线及前述第2导线的厚度。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂组合物是选自硅酮树脂、有机改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸酯树脂、及氨基甲酸乙酯树脂中的至少一种。
7.如权利要求5所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂组合物是选自硅酮树脂、有机改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸酯树脂、及氨基甲酸乙酯树脂中的至少一种。
8.如权利要求1至4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂固化物至少包含无机填充材料及扩散材料中的任一种,前述无机填充材料为选自二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、及碳酸钡中的至少一种,前述扩散材料为选自钛酸钡、氧化钛、氧化铝、及氧化硅中的至少一种。
9.如权利要求7所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂固化物至少包含无机填充材料及扩散材料中的任一种,前述无机填充材料为选自二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、及碳酸钡中的至少一种,前述扩散材料为选自钛酸钡、氧化钛、氧化铝、及氧化硅中的至少一种。
10.一种光半导体装置,其特征在于,
在权利要求1至4中的任一项所述的光半导体装置用基板的前述第1导线上,搭载有光半导体元件,进行焊线接合或倒装晶片接合,而使前述光半导体元件的第1电极及第2电极分别电性连接于前述第1导线及前述第2导线上,前述光半导体元件经过树脂密封或透镜成型。
11.一种光半导体装置,其特征在于,
在权利要求9所述的光半导体装置用基板的前述第1导线上,搭载有光半导体元件,进行焊线接合或倒装晶片接合,而使前述光半导体元件的第1电极及第2电极分别电性连接于前述第1导线及前述第2导线上,前述光半导体元件经过树脂密封或透镜成型。
12.一种光半导体装置用基板的制造方法,其是制造光半导体装置用基板的方法,所述光半导体装置用基板具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第1电极电性连接的第1导线、及与前述光半导体元件的第2电极电性连接的第2导线;并且,所述光半导体装置用基板的制造方法的特征在于,
分别并列配置多条前述第1导线与前述第2导线,
通过注射成型,在前述第1导线与前述第2导线之间贯穿的间隙中,将热固化性树脂组合物成型而制成树脂成型体,并使该树脂成型体形成为板状,且使前述第1导线、前述第2导线及前述树脂成型体的表里两面分别露出的表面在相同平面上,由此,来制造前述光半导体装置用基板。
13.如权利要求12所述的光半导体装置用基板的制造方法,其中,在前述第1导线与前述第2导线的表面上,实施有金属电镀。
14.如权利要求12所述的光半导体装置用基板的制造方法,其中,其使用在厚度方向的侧面具有台阶、斜度、或凹部的导线,作为前述第1导线与前述第2导线。
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