[发明专利]屏蔽的共面线

权利要求书

1.一种方法，包括：

在具有厚度的半导体衬底的前表面中形成有源部件；

在所述半导体衬底的所述前表面上形成包括绝缘部分和在所述绝缘部分中形成的导电部分的一组前金属化级；

从所述衬底的后表面蚀刻第一孔和第二孔，所述第一孔和第二孔中的每个孔具有壁和底部并且穿过所述衬底的厚度的至少50％向所述衬底中延伸；

用导电材料涂覆所述第一孔和第二孔的所述壁和所述底部；以及

用绝缘材料填充所述第一孔和第二孔；以及

形成位于所述衬底的所述后表面之上的共面线，所述共面线具有位于所述第二孔前面的中心导体和与涂敷所述第二孔的所述壁的所述导电材料电耦合的侧部导体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述共面线的所述中心导体形成于所述绝缘材料前面并且具有比所述第二孔的宽度更小的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在涂覆所述第一孔和第二孔的所述壁和所述底部之前，所述方法包括：

用绝缘层涂覆所述衬底的所述后表面、所述第一孔和第二孔的所述壁和所述底部；以及

从所述第一孔和第二孔的所述底部去除所述绝缘层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二孔延伸穿过所述衬底的整个厚度并且暴露所述一组前金属化级的绝缘部分的表面。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底的所述后表面上至少形成第一后金属化级和第二后金属化级，所述第一后金属化级与用导电材料涂覆所述第一孔和第二孔的所述壁和所述底部同时形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述共面线的所述侧部导体形成于所述第一后金属化级中，并且所述共面线的所述中心导体形成于所述后金属化级的上级中。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述共面线的所述中心导体和所述侧部导体形成于所述后金属化级的上级中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料包含铜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是聚合物。

10.一种集成电路，包括：

半导体衬底，具有从第二表面被厚度间隔开的第一表面、在所述衬底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔，所述孔延伸穿过所述衬底的所述厚度的至少50％；

导电材料，覆盖所述孔的所述壁和所述底部；

绝缘材料，在所述孔中位于所述导电材料之上；以及

共面线，形成于所述衬底的所述第二表面之上，所述共面线包括位于中心导体的相对侧上的第一侧部导体和第二侧部导体，所述中心导体在所述孔前面并且与所述孔平行，并且其中所述共面线的所述第一及第二侧部导体电连接到所述孔的所述壁之上的所述导电材料。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述共面线的所述中心导体形成于所述绝缘材料前面，并且所述中心导体具有比所述孔的宽度更小的宽度。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述孔延伸穿过所述衬底的整个厚度。

13.根据权利要求10所述的集成电路，其中绝缘层在所述衬底与所述导电材料之间布置于所述孔中和所述第二表面上。

14.一种集成电路，包括：

半导体衬底，具有第一表面和相对的第二表面、延伸穿过所述衬底的所述第二表面的具有壁和底部的第一孔；

导电材料，位于所述第一孔的所述壁和所述底部之上；

绝缘材料，位于所述导电材料之上并且填充所述第一孔；

中心导体，位于所述衬底的所述第二表面之上，所述中心导体位于所述第一孔之上；以及

第一侧部导体和第二侧部导体，位于所述第二表面之上并且在所述中心导体的相对侧上并且在与所述中心导体平行的平面中；

其中，所述第一及第二侧部导体电连接到所述第一孔的所述壁之上的所述导电材料。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述衬底的所述第一表面从所述第二表面被厚度间隔开，所述第一孔穿过所述厚度的至少50％向所述衬底中延伸。

16.根据权利要求15所述的集成电路，其中所述第一孔延伸穿过所述衬底的整个厚度。