[发明专利]具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置

权利要求书

1.一种磁性装置，其特征在于，所述磁性装置包括：

T形磁芯，包括底座以及柱体，所述底座具有第一表面以及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述柱体位于所述底座的所述第一表面上，所述底座的所述第二表面暴露于外在环境而作为所述磁性装置的外表面，所述T形磁芯由退火软质磁性金属材料制成，所述T形磁芯的磁芯损耗P_CL(mW/cm³)满足下列不等式：0.64*f^0.95*B_m^2.20≤P_CL≤7.26*f^1.41*B_m^1.08，其中，f(kHz)表示适用于所述T形磁芯的磁场的频率，且B_m(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度；

线圈，缠绕于所述柱体，所述线圈具有二引脚；以及

磁性体，完全覆盖所述柱体、位于所述底座的所述第二表面上方的所述底座的任何部位以及位于所述底座的所述第一表面正上方的所述线圈的任何部位。

2.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述线圈的所述二引脚分别连接于所述底座上的二电极。

3.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体完全覆盖位于所述底座的所述第一表面上方的所述线圈的任何部位。

4.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述底座的体积V1与所述柱体的体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.533。

5.如权利要求4所述的磁性装置，其特征在于，所述底座的所述体积V1与所述柱体的所述体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.093。

6.如权利要求2所述的磁性装置，其特征在于，所述二电极内嵌于所述底座中。

7.如权利要求6所述的磁性装置，其特征在于，各所述电极的底表面实质上与所述底座的所述第二表面共平面，且各所述电极的侧表面实质上与所述底座的二相对侧表面的其中一面共平面。

8.如权利要求2所述的磁性装置，其特征在于，所述底座具有二凹槽，所述二凹槽分别位于所述底座的二侧表面上，所述二凹槽用以容置所述二引脚，使得所述二引脚通过所述二凹槽分别与所述二电极接触。

9.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述底座是具有直角或弧角的方形底座，自所述方形底座的四端中的每一端至所述柱体的最短距离皆相等。

10.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述T形磁芯的导磁率是μ_C，μ_C≥48，且所述T形磁芯的所述磁芯损耗P_CL(mW/cm³)进一步满足下列不等式：0.64*f^1.15*B_m^2.20≤P_CL≤4.79*f^1.41*B_m^1.08。

11.如权利要求10所述的磁性装置，其特征在于，所述退火软质磁性金属材料选自下列群组：被压入T形结构且经退火而具有介于48与108间的导磁率的铁硅合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与150间的导磁率的铁硅铝合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与192间的导磁率的铁镍合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与240间的导磁率的铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合。