[发明专利]一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法

权利要求书

1.一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于：包括如下加工步骤：

1）、整板电镀：将孔铜与面铜一次性电镀到客户要求的铜厚；

2）、磨板：去除铜表面的油污及粗化铜表面，增强干磨与铜面的结合力；

3）、贴膜：在加热加压的条件下，使干膜结合在经过洁净、粗化覆铜箔板上；

4）、曝光：干膜抗蚀剂经紫外线照射后发生交联聚合反应，受光照部分成膜硬化而不被显影液所影响；

5）、显影：将干膜上未经紫外线辐射的部分用一定浓度的Na2CO3溶液溶解，经过紫外线辐射而发生聚合反应的部分保留；

6）、蚀刻：将未曝光已露铜部分的铜层蚀刻掉；

7）、退膜：通过强碱溶液与曝过光的干膜作用，将图形上的膜退去，剩下有图形的铜板。

2.根据权利要求1所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述步骤2）中控制磨痕在0.5～1.5cm，磨板速度为4m/min。

3.根据权利要求1所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述步骤3）中在贴膜中，预热温度设定在100～120℃，贴干膜速度为2.5～3m/min。

4.根据权利要求3所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述预热温度设定在110℃。

5.根据权利要求1所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述步骤4）中控制曝光机的曝光能量为7级，抽真空泵的抽真空时间为5s。

6.根据权利要求1所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述步骤5）中Na₂CO₃溶液的浓度为10g/l，所述显影温度为25～35℃，所述显影时间为75～85s。

7.根据权利要求1所述的一种工序简单的HDI外层线路负片加工方法，其特征在于，所述显影温度为28℃，所述显影时间为80s。