[发明专利]从半导体器件去除膜的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在导电的底部电极上方形成磁隧道结；

在所述磁隧道结上直接形成具有第一宽度的导电的顶部电极；

对所述磁隧道结实施第一蚀刻工艺以图案化所述磁隧道结以具有所述第一宽度，其中所述第一蚀刻工艺在所述磁隧道结和所述顶部电极的表面上形成膜；以及

对所述磁隧道结和所述顶部电极实施离子束蚀刻工艺，所述离子束蚀刻工艺从所述磁隧道结和所述顶部电极的表面去除所述膜，其中，去除所述膜后，所述磁隧道结和所述顶部电极分别具有第二宽度和第三宽度，所述第二宽度和所述第三宽度小于所述第一宽度，所述第三宽度小于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述离子束蚀刻工艺具有介于100V和200V之间的离子束电压。

3.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是干式等离子体蚀刻工艺。

4.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，进一步包括：在实施所述离子束蚀刻工艺之后，在所述磁隧道结和所述顶部电极上方沉积介电层。

5.一种形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，包括：

在底部电极上方形成磁隧道结(MTJ)，其中，形成磁隧道结部件包括：

在所述底部电极上方形成反铁磁材料层；

在所述反铁磁材料层上方形成固定层；

在所述固定层上方形成势垒层；

在所述势垒层上层形成自由层；

在所述自由层上方直接形成顶部电极，所述顶部电极导电；

用第一蚀刻工艺图案化所述顶部电极和所述磁隧道结，其中所述第一蚀刻工艺在所述顶部电极和所述磁隧道结上形成膜；以及

对所述顶部电极和所述磁隧道结实施离子束蚀刻工艺，其中所述离子束蚀刻工艺去除所述膜，其中，执行所述离子束刻蚀工艺之后，所述顶部电极具有第一宽度以及所述磁隧道结具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

6.根据权利要求5所述的形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，其中，所述离子束蚀刻工艺具有介于500V和2000V之间的离子束聚焦电压。

7.根据权利要求5所述的形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，其中，所述离子束蚀刻工艺包括选自由CHF₂、CHF₃或CHF₄中的一种、Ar、O或N中的任一种或它们的组合所组成的组中的蚀刻气体。

8.根据权利要求5所述的形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，其中，所述膜位于所述磁隧道结的侧壁上且位于所述顶部电极的侧壁和顶面上。

9.根据权利要求5所述的形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，进一步包括：在实施所述离子束蚀刻工艺之后，在所述底部电极、所述磁隧道结和所述顶部电极上方形成介电层。

10.根据权利要求5所述的形成磁性随机存取存储(MRAM)器件的方法，其中，用所述第一蚀刻工艺图案化所述顶部电极和所述磁隧道结进一步包括：

在第一等离子体干蚀刻步骤中图案化所述顶部电极；以及

在第二等离子体干蚀刻步骤中图案化所述磁隧道结。