[发明专利]铜互连结构的制造方法及半导体结构有效
| 申请号： | 201310178621.4 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311179A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 半导体 | ||
1.一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有第二氧化硅层，所述第二氧化硅层中形成有第二铜线；
将所述第一氧化硅层及第二氧化硅层键合在一起，所述第一铜线和所述第二铜线形成铜互连结构。
2.如权利要求1所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的截面宽度大于所述第二铜线的截面宽度，所述第一氮化硅层在所述第一晶圆上的投影覆盖所述第二铜线在所述第一晶圆上的投影。
3.如权利要求2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述第一铜线的截面宽度小于所述第二铜线的截面宽度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线的制造方法包括：
在所述第一晶圆上形成第一氮化硅层；
在所述第一氮化硅层中形成第一铜线；
去除部分第一氮化硅层，露出第一晶圆；
在所述第一晶圆上形成第一氧化硅层。
5.如权利要求4所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆上形成第一氧化硅层的工艺包括如下步骤：
在所述第一晶圆及第一氮化硅层上形成第一氧化硅层；
去除所述第一氮化硅层上的第一氧化硅层。
6.如权利要求5所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺在所述第一晶圆及第一氮化硅层上形成第一氧化硅层。
7.如权利要求5所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺去除所述第一氮化硅层上的第一氧化硅层。
8.如权利要求1～3中任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，在所述第二氧化硅层中形成有第二氮化硅层，在所述第二氮化硅层中形成有第二铜线。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线；
第二晶圆，所述第二晶圆上形成有第二氧化硅层，所述第二氧化硅层中形成有第二铜线；
其中，所述第一氧化硅层及第二氧化硅层键合在一起，所述第一铜线和所述第二铜线形成了铜互连结构。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二氧化硅层中形成有第二氮化硅层，在所述第二氮化硅层中形成有第二铜线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技（上海）有限公司，未经豪威科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310178621.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抗静电衣料
- 下一篇：单分子生物反应器制备单微纳米珠携带单根多聚物的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
