[发明专利]陶瓷基片的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子元件领域，特别是涉及一种陶瓷基片的制备方法。

背景技术

单层电容器由于具有极小的等效串联电阻和等效串联电感，从而具有高自谐振频率和高品质因数，应用频率可达数十吉赫兹。再由于单层电容器超小的外围尺寸，故单层电容器特别适用于小型、微波的场合，可应用于微波集成电路中，起到隔直、RF旁路、滤波、调谐等作用。

单层电容器的结构包括单层的陶瓷介质基片和分别覆盖陶瓷介质基片上下表面的两个电极层。作为单层电容器的介质的陶瓷基片，是由陶瓷生坯经高温烧结致密化而成。烧结时生坯发生收缩，线收缩率可达17%～20%。烧结过程中的收缩应力极易使很薄的基片（厚度为0.1毫米～0.3毫米）翘曲，导致后续加工（如电极被覆、二次分割等）无法进行，制造不良率增加。

发明内容

基于此，有必要提供一种较为平整的陶瓷基片的制备方法。

一种陶瓷基片的制备方法，包括以下步骤：

将陶瓷粉、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料，接着以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜，最后以所述陶瓷膜为原料制备得到陶瓷基片生坯；

将氧化锆粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到氧化锆浆料，接着以所述氧化锆浆料为原料制备得到氧化锆薄膜，最后切割所述氧化锆薄膜得到氧化锆隔膜；

将所述陶瓷基片生坯和所述氧化锆隔膜交替层叠后放置于基板上进行烧结，得到陶瓷基片。

在一个实施例中，所述以所述陶瓷膜为原料制备得到陶瓷基片生坯的操作为：将3片～20片以所述陶瓷浆料为原料制备得到的陶瓷膜进行层叠压合，形成层叠压合后的陶瓷膜，接着切割所述层叠压合后的陶瓷膜，得到所述陶瓷基片生坯。

在一个实施例中，所述氧化锆粉、所述第二有机粘合剂和所述第二溶剂的质量比为100:40～45:40～50。

在一个实施例中，所述陶瓷粉为Ⅰ类瓷介、Ⅱ类瓷介或Ⅲ类瓷介；所述第一有机粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛；所述第一溶剂为甲苯和乙醇的混合物，所述甲苯和所述乙醇的质量比为1:1～2:1；

所述陶瓷粉、所述第一有机粘合剂和所述第一溶剂的质量比为100:30～45:50～70。

在一个实施例中，所述第二有机粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛；所述第二溶剂为甲苯和乙醇的混合物，所述甲苯和所述乙醇的质量比为1:1～2:1。

在一个实施例中，所述以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜的操作中，采用流延法制备得到陶瓷膜。

在一个实施例中，所述氧化锆薄膜的厚度为30微米～50微米。

在一个实施例中，所述以所述氧化锆浆料为原料制备得到氧化锆薄膜的操作中，采用流延法制备得到氧化锆薄膜。

在一个实施例中，所述烧结的烧结温度为1200℃～1300℃，所述烧结的烧结温度保持时间为2小时～3小时。

在一个实施例中，所述陶瓷基片生坯和所述氧化锆隔膜交替层叠的层数为20～30层。

上述陶瓷基片的制备方法，将陶瓷基片生坯和氧化锆隔膜交替层叠后进行烧结，可防止陶瓷基片烧结时发生翘曲，得到的陶瓷基片较为平整。由于氧化锆隔膜化学稳定性好，在基片烧结过程中不与基片发生反应，陶瓷基片生坯夹在氧化锆隔膜之间进行烧结时，可防止烧结后陶瓷基片发生粘片。

附图说明

图1为一实施方式的陶瓷基片的制备方法的流程图；

图2为陶瓷基片生坯和氧化锆隔膜交替层叠装钵的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示，一实施方式的陶瓷基片的制备方法，包括以下步骤：

S10、将陶瓷粉、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料，接着以陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜，最后以陶瓷膜为原料制备得到陶瓷基片生坯。

陶瓷粉、第一有机粘合剂和第一溶剂的质量比可以为100:30～45:50～70。

陶瓷粉可以是Ⅰ类瓷介、Ⅱ类瓷介或Ⅲ类瓷介。Ⅰ类瓷介可以为C0G特性瓷介等。Ⅱ类瓷介可以为X7R特性瓷介等。Ⅲ类瓷介可以为Z5U特性瓷介等。

第一有机粘合剂可以为聚乙烯醇缩丁醛等。