[发明专利]晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法

权利要求书

1.晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1：基板清洗；

步骤2：溅射制备AlN薄层：以高纯Al为靶材，将真空室内的气压抽至2.0×10^-4Pa后，充入Ar和N₂混合气体，总气压为0.35Pa-0.5Pa，氩气和氮气的压强比为3:2-2:3；在基板上溅射一层25nm-100nm厚的AlN薄层；

步骤3：溅射制备BaM薄膜：靶材为具有化学正分比的BaM靶材；将真空室内气压抽至2.0×10^-4Pa后，充入Ar和O₂的混合气体，总气压为1.0Pa-1.6Pa，氩气和氧气的压强比为90:10-99:1；

步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度达到250℃-500℃，在镀有AlN薄层的基板上继续溅射一层所需厚度的BaM薄膜。

步骤5：退火：升温速率为1℃/min-6℃/min，退火温度为760℃-860℃，保温时间为1h-4h，然后随炉自然冷却至室温。

2.如权利要求1所述的晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1为：采用超声波清洗器，将Si基板或者热氧化的Si基板置入烧杯中先后通过无水乙醇→无水丙酮→无水乙醇各超声清洗10min，将清洗好的基板用氮气枪吹干待用。

3.如权利要求1所述的晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤2中，基底温度为真空室环境温度，溅射功率为180W-220W。

4.如权利要求1所述的晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，所述基板为Si（100）基板。

5.如权利要求1所述的晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，所述基板为SiO₂/Si(100)基板。