[发明专利]叠层薄膜背面钝化的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于，它包括：

一P型晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面；

一正面钝化层（2），沉积在P型晶体硅衬底（1）的正面上；

一正面电极层（3），位于正面钝化层（2）的上表面上；

一氢化非晶硅层（4），沉积在P型晶体硅衬底（1）的背面上；

一具有负的固定电荷的金属氧化物层（5），沉积在氢化非晶硅层（4）的下表面上；

一背面电极层（6），位于金属氧化物层（5）的下表面上；

一背面电场层（7），位于背面电极层（6）的下表面上。

2.根据权利要求1所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于：所述的正面钝化层（2）为氮化硅薄膜。

3.根据权利要求1所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于：所述的正面电极层（3）为银栅极。

4.根据权利要求1所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于：所述的具有负的固定电荷的金属氧化物层（5）为三氧化二铝薄膜。

5.根据权利要求1所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于：所述的氢化非晶硅层（4）的厚度范围为5纳米~30纳米。

6.根据权利要求1所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池，其特征在于：所述的具有负的固定电荷的金属氧化物层（5）的厚度范围为5纳米~50纳米。

7.一种如权利要求1至6中任一项所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：

a）将P型晶体硅片依次清洗制绒、扩散成PN结、周边刻蚀和去除磷硅玻璃后，得到P型晶体硅衬底（1）；

b）在P型晶体硅衬底（1）的正面沉积一层正面钝化层（2）；

c）在P型晶体硅衬底（1）的背面依次沉积氢化非晶硅层（4）和金属氧化物层（5），制得中间产物，其中，金属氧化物层（5）具有负的固定电荷；

d）在温度为300~400℃的氢气和氮气的气体环境下，对步骤c）制得的中间产物进行退火处理10 ~35分钟；

e）再在背面进行激光刻蚀或腐蚀料浆开孔，然后丝网印刷正面电极层（3）以及印刷背面电极层（6）和背面电场层（7），接着通过共烧结，制得成品。

8.根据权利要求7所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的氢气和氮气的气体环境中，各组份的体积百分比为氮气：95%～99.5%；氢气：0.5%～5%。

9.根据权利要求7所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的沉积方式采用等离子体增强化学气相沉积法。

10.根据权利要求7所述的叠层薄膜背面钝化的太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的温度为350℃，所述的退火处理的时间为30分钟。