[发明专利]一种太阳能电池锗衬底片的上蜡方法无效

专利信息
申请号: 201310179502.0 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN103240219A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 王卿泳;孙小华;郭德文;赵双艳 申请(专利权)人: 中锗科技有限公司
主分类号: B05D7/14 分类号: B05D7/14;B05D7/24;B05D3/02
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211299 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 衬底 上蜡 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)将锗片放置在甩蜡机的甩蜡盘(1)上,背面向上,主面向下,运转甩蜡机,甩蜡盘(1)带动其上的锗片转动;

(2)将液体蜡一次性滴在锗片的中心位置,随着锗片的转动在锗片背面上形成蜡膜;

(3)将锗片从甩蜡机上取下,放置在陶瓷盘上,用红外灯进行烘烤;

(4)将锗片粘贴在加热的陶瓷盘上,进行压片,冷却后待抛光。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:所述甩蜡盘(1)的转速为1500~2000r/min,甩蜡时间为8~15s。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:所述液体蜡的滴蜡量为1~3ml。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:所述红外灯的加热温度为140~180℃,加热时间30s以内。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:所述压片的压力为0.05~1.5Mpa,压片时间5~10s。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池锗衬底片的上蜡方法,其特征在于:步骤(1)~步骤(4)在室温20℃以上、湿度在40%~60%范围内的环境中进行。

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