[发明专利]一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法

权利要求书

1.一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）于低k介质层中形成通孔结构，于所述通孔结构填充金属铜；

2）于所述低k介质层及金属铜表面形成C₉H₂₇NSi₃薄层；

3）通入C₉H₂₇NSi₃气体及He并进行等离子体处理，使所述C₉H₂₇NSi₃薄层及C₉H₂₇NSi₃气体与He反应，于所述低k介质层及金属铜表面形成富Si的SiCN层；

4）对所述富Si的SiCN层进行N等离子体处理，使所述富Si的SiCN层中的Si与N反应，形成富SiN的SiCN层；

5）于所述富SiN的SiCN层表面形成NDC层。

2.根据权利要求1所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：步骤1）至少包括于所述通孔结构内及低k介质层表面沉积金属铜，并采用CMP工艺进行抛光直至露出所述低k介质层的步骤。

3.根据权利要求1所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：所述通孔结构包括大马士革结构及圆柱状通孔结构的一种或两种。

4.根据权利要求1所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：步骤2）采用气体吸附的方式于所述金属铜表面形成C₉H₂₇NSi₃薄层。

5.根据权利要求4所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：吸附过程中，采用的气压为0.1～7torr，温度为10～400℃，C₉H₂₇NSi₃的流量为100～2000sccm，吸附时间不小于1s。

6.根据权利要求1所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：步骤3）中，等离子体处理所采用的功率为100～2000w，气压为0.1～7torr，温度为50～400℃，He的流量为100～2000sccm，C₉H₂₇NSi₃的流量为100～2000sccm。

7.根据权利要求1所述的增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，其特征在于：步骤4）中，N等离子体处理所采用的反应气体为NH₃。